电子技术基础55618

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1、模拟电子技术基础本课程是入门性质的技术基础课一、电子技术的发展47年贝尔实验室制成第一只晶体管58年集成电路69年大规模集成电路75年超大规模集成电路第一片集成电路只有4个晶体管，而97年一片集成电路上有40亿个晶体管。科学家预测集成度按10倍/6年的速度还将继续到2015或2020年，将达到饱和。二、模拟电路数字量：离散性模拟量：连续性，大多数物理量，如温度、压力、流量、液面……均为模拟量。模拟电路：对模拟量进行处理的电路，最基本的处理是放大。放大：输入为小信号，有源元件控制电源使负载获得大信号，并保持线性关系。有源元件：能够控制能量的

2、元件。三、课程目的掌握基本概念、基本电路、基本分析方法、基本实验技能具有能够继续深入学习和接收电子技术新发展的能力，将所学知识用于本专业的能力。四、考察方法：会看：定性分析会算：定量计算、CAD会选：电路形式、器件、参数会调：测试方法、仪器选用、EDA五、学习方法在入门阶段要以听课为线索；建立工程的观念、系统的观念、科学进步的观念、实践的观念；特别注意电路原理在电子电路分析中的应用。六、考试方法笔试开卷。第一章半导体器件一、二极管开启电压端电压温度的电压当量反向饱和电流电流正向特性为指数曲线反向电流为常量T（℃）↑→在电流不变情况下管压降

3、u↓→反向饱和电流IS↑，U(BR)↓T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移二极管的几个参数材料开启电压导通电压反向饱和电流硅Si0.5V0.5~0.8V1µA以下锗Ge0.1V0.1~0.3V几十µA最大整流电流IF：平均电流最高反向工作电压UR：瞬时值反向电流IR：IS，是对温度很敏感的参数最高工作频率fM：结电容作用的结果二、晶体管（三极管、双极型管）三个工作区域：放大区、截止区、饱和区开关特性数字电路模拟电路极限参数：最大集电极功耗PCM＝ICUCE最大集电极电流ICM，c-e间击穿电压UCEO晶体管的三个工作区域状态uBEiC

4、uCE截止＜UonICEOVCC放大≥UonβIB≥uBE饱和≥Uon＜βIB＜uBE温度对晶体管特性的影响第二章放大电路基础§2.1放大的概念及放大电路的性能指标一、放大的概念放大的对象：变化量放大的本质：能量的控制放大的特征：功率放大放大的基本要求：不失真，放大的前提二、性能指标1.放大倍数二、性能指标2.输入电阻和输出电阻二、性能指标3.通频带衡量放大电路对不同频率信号的适应能力4.最大不失真输出电压Uom5.最大输出功率Pom和效率η