安森美半导体中等电压led通用照明方案

安森美半导体中等电压led通用照明方案

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时间:2018-07-11

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1、电源在线网-中国领先的电源行业商务平台配合各种中等电压通用照明应用的安森美半导体LED驱动器方案安森美半导体ONSemiconductor摘要:本文介绍了安森美半导体中等电压不同功率要求的照明LED驱动器解决方案。关键词:照明LED驱动器Keywords:Lighting,LED,Driver[中图分类号]TN86[文献标识码]A文章编号:1561-0349(2012)08-1前言许多中等电压LED应用都是采用离线AC-DC电源、电池或有低电压AC输出的电子变压器供电。但一些这样的电源,如铅酸蓄电池,只经过了简单的稳压。因此

2、,需要有一个可以在宽输入电压范围工作,并可以用各种拓扑结构配置的LED驱动器解决方案,以支持LED负载要求。根据LED的电流和工作条件,可以采用线性或开关稳压器LED驱动器解决方案。安森美半导体为中等电压LED应用提供多种拓扑结构的解决方案,可满足景观照明、低压轨道灯、太阳能供电照明、汽车照明、紧急车辆照明、船舶照明、12Vac/VdcMR16灯、飞机内饰照明、标志背光、广告牌文字电路和标志等各种通用照明需求。2中等电压LED通用拓扑结构及电源中等电压LED照明应用需要优化的驱动器方案。安森美半导体提供电感型、电荷泵型、线性

3、三种不同拓扑结构的中等电压LED驱动器方案,可满足用户不同的应用需求,见图1。中等电压LED应用的电源有几种,各有其主要用途。其中,离线AC稳压适配器,常见电压为12Vdc、24Vdc、36Vdc、48Vdc,稳压精度达±5%,适合安全要求不高的低到中等功率的应用。密封铅酸蓄电池,只经过简单的稳压,8Vdc至14Vdc广泛用于汽车照明;7Vdc-27Vdc用于汽车、太阳能、船舶照明。12Vdc及12Vac电源,常见于室内照明、轨道灯、户外照明、景观照明等。3安森美半导体中等电压LED通用照明解决方案(1)线性LED驱动器解决

4、方案线性解决方案是许多照明应用的首选,因为其设计既简单、又直观,并允许用精密稳流的电流驱动LED,而不必考虑LED正向电压或输入电源如何变化。因为这类LED驱动器是线性的,必须匹配应用的功耗要求。安森美半导体提供电流从10mA-1A的各种恒流线性LED驱动器。通道输出电流为10mA-50mA的有NSI50010Y、NSI45020JZ、NSI45020、5电源在线网-中国领先的电源行业商务平台NSI45020A、NSI45025、NSI45025A、NSI45025AZ、NSI45025Z、NSI45030、NSI45030

5、A、NSI45030AZ、NSI45030Z、NSIC2020B、NSIC2030B、NSIC2050B和NCV7680;60mA-350mA的有NSI45060JD、NUD4011、NSI45090JD和CAT4104;还有更大通道输出电流的NUD4001(500mA)和CAT4101(1000mA)。以线性恒流稳流器NSI45系列为例,这是双端或三端线性恒流稳流器,基于安森美半导体正待批专利的自偏置晶体管技术,非常适合不同输入电压的广泛LED应用,如驱动建筑物、汽车及工业标识牌LED照明应用中的电流。它可以在宽输入电压范

6、围工作,为工程师提供适合他们应用的简单、高性价比稳流方案,且不会牺牲性能。该恒流稳流器系列可在宽范围内稳流,确保工作电压范围内的恒定亮度,且具有负温度系数特性,在极端的电压和工作温度下,保护LED免受热失控(thermalrunaway)影响。NSI45的另一个典型应用,是用作显示屏和广告牌文字电路的恒流稳流器线性LED驱动器。其特点包括低启动电压,无论正向电压(Vf)如何变化都可以实现精密稳流,具有负温度系数特性,可以保护LED。图3NSI45显示屏和广告牌文字电路应用示例(2)LEDMR16灯泡解决方案NCL30100是

7、一款降压LED驱动器控制器,具有高能效、峰值电流控制自适应固定关闭时间,可用于空间及高能效至关重要的低功率及空间受限的应用。该方案具有振荡频率可调节特性,采用连续导电模式(CCM),可以省去输出电容,能效高达95%,并提供自然的LED开路保护。该驱动器控制器开关频率高达700kHz,不需要输出电容,Vcc工作范围从6.35V-18V,可驱动一个或多个大功率LED,主要用在MR16LED照明、环境灯照明、太阳能LED、交通照明、室外照明和LED光条等应用。采用NCL30100的PCB非常小巧,可以装入MR16灯的灯座内。NCL

8、30100的迟滞控制特性可在负载瞬期间提供快速的响应,无需小型信号控制环路补偿元件。保护特性包括,可利用电阻设定LED电流、LED短路保护、欠压锁定及热关闭。使用NCL30100可利用负电流感测,用小型电感降低功率损耗,实现低成本、高能效及元件数量少的应用。该器件采用低侧N-FET开关拓扑

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