课程名称：电子器件

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1、课程名称：半导体工艺技术课程编号：M833002课程学分：2适用学科：集成电路工程半导体工艺技术TechnologyofSemiconductorManufacturingProcess教学大纲一、课程性质《半导体工艺技术》是集成电路工程硕士的专业必修课，该课程系统地介绍半导体制造的基本原理和工艺技术方法。二、课程目的通过本课程学习，使学生对半导体器件和半导体集成电路制造工艺及原理有一个较为完整和系统的概念，了解集成电路制造相关领域的新技术、新设备、新工艺，使学生具有一定工艺分析和设计以及解决工

2、艺问题和提高产品质量的能力。也为后续的集成电路设计课程的学习提供参考。三、教学基本内容及基本要求第一章前言（一）教学基本内容1.1IC发展历史1.2IC制造基本内容1.3集成电路产业体系基本构成（二）教学基本要求了解：半导体工艺发展历史。熟悉：集成电路工艺分类。掌握：双极与CMOS工艺的基本工艺流程。第二章现代CMOS器件工艺（一）教学基本内容2.1双极型器件基本结构2.2MOS器件基本结构2.3MOS器件的发展历程2.4典型CMOS工艺流程（二）教学基本要求了解：MOS器件的发展历程。熟悉：集

3、成电路中器件基本结构。掌握：典型CMOS工艺基本流程。第三章晶体生长、硅片制备及硅片基本性能（一）教学基本内容3.1半导体材料基本性质3.2材料杂质与缺陷3.3制备工艺与质量控制3.4参数测试（二）教学基本要求了解：新型半导体材料的性质及应用。熟悉：半导体材料的基本性质及制备工艺。掌握：晶体生长技术（直拉法、区熔法），硅圆片制备及规格，晶体缺陷，硅中杂质，半导体特性参数基本测试方法。第四章半导体制造：净化间、硅片清洗和吸杂（一）教学基本内容4.1各种污染源对器件性能的影响4.2空气净化4.4硅片

4、清洗4.5吸杂（二）教学基本要求了解：空气净化系统基本组成，清洗容器及设备，。熟悉：常规清洗工艺步骤。掌握：吸杂的基本原理及基本方法，空气净化等级，干法清洗。第五章光刻（一）教学基本内容5.1目的与作用5.2光学光刻工艺流程5.3光刻光学5.4先进的曝光技术5.5掩模版设计与制造（二）教学基本要求了解：非光学等新型光刻技术的进展。熟悉：光学光刻基本原理及系统组成与基本工艺步骤。掌握：光刻工艺参数测试及质量控制方法。第六章氧化（一）教学基本内容6.1目的与作用6.2SiO2的结构与特性6.3氧化模

5、型6.4系统组成6.5参数测量与质量控制（二）教学基本要求了解：氧化工艺的目的及最近发展，氧化工艺的计算机模拟。熟悉：氧化层的结构及性质，氧化工艺的基本原理及各种常用氧化工艺步骤。掌握：氧化工艺的工艺参数测试及质量控制方法。第七章扩散（一）教学基本内容7.1菲克扩散方程7.2扩散分布7.3横向扩散与杂质再分布7.4扩散系统组成7.5参数测量与质量控制（二）教学基本要求了解：扩散工艺的目的及最近发展，扩散工艺的计算机模拟。熟悉：扩散工艺的基本原理及系统组成与基本工艺步骤。掌握：掌握杂质扩散机理，扩

6、散系数和扩散方程，扩散杂质分布，扩散结果测量。第八章离子注入（一）教学基本内容8.1离子注入原理8.2注入离子的分布与沟道效应8.3注入损伤与退火8.4离子注入系统组成8.5离子注入工艺的应用（二）教学基本要求了解：离子注入的特点及应用，离子注入工艺的计算机模拟。熟悉：离子注入工艺的基本原理及系统组成。掌握：注入离子的分布与沟道效应，注入损伤与退火，参数测量与控制。第九章薄膜淀积（一）教学基本内容9.1引言9.2化学汽相淀积9.3物理气相淀积9.4常用薄膜制备方法二）教学基本要求了解：化学汽相淀

7、积工艺目的与作用，蒸发和溅射工艺的目的与作用。熟悉：化学汽相淀积工艺的基本原理、分类及系统组成，蒸发和溅射工艺的基本原理及系统组成。掌握：常见材料的物理气相淀积方法和化学汽相淀积方法。第十章刻蚀（一）教学基本内容10.1湿法刻蚀10.2干法刻蚀（二）教学基本要求了解：刻蚀技术在微电子技术中的应用，真空和等离子技术的基本原理。熟悉：湿法和干法刻蚀的基本原理及系统组成与基本工艺步骤。掌握：常用材料的刻蚀方法。第十一章后端工艺（一）教学基本内容11.1封装工艺11.2测试工艺（二）教学基本要求了解：后

8、部工序的目的作用及最新发展。熟悉：后部工序的基本内容，封装、测试工艺的基本原理及实现方法。掌握：常见的封装、测试工艺步骤。第十二章工艺集成（一）教学基本内容12.1器件隔离、互连与多层金属化12.2双极工艺12.3CMOS工艺12.4Bi-CMOS工艺（二）教学基本要求了解：了解工艺集成的最新发展。熟悉：工艺集成基本技术的原理及工艺组成。掌握：常见的集成工艺技术流程。第十三章前瞻性工艺研究（一）教学基本内容13.1新型器件结构13.2目前研发焦点13.3“无光源”纳米结构制备技术（二）教学基本要