铜铟镓硒 cigs 薄膜太阳能电池技术

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1、铜铟镓硒CIGS薄膜太阳能电池技术--大面积太阳能薄膜电池组件在天津滨海研制成功2009-1-2904:17公告:TopEnergy绿色建筑版主招募计划【帮助】提问的智慧[产业观察]CIGS,技术由南开大学、孙云教授课题组与天津保税区投资公司在滨海新区合作开发的"国家863铜铟硒太阳能薄膜电池中试基地"研究取得了重大进展,成功研制出有效面积为804平方厘米玻璃衬底铜铟镓硒太阳能电池组件。这一成果表明,我国已基本掌握了制造铜铟镓硒薄膜太阳能电池设备、工艺,以及电池组件制造的主要核心技术,完成了实验室小面积太阳能电池技术向大面积中试技术

2、的跨越。铜铟镓硒薄膜太阳能电池具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等显著特点,光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首,接近于晶体硅太阳能电池,而成本则是晶体硅电池的三分之一,被国际上称为新型薄膜太阳能电池。但由于工艺和制备条件的要求极为苛刻,德国、日本和美国多年投入巨资坚持开发,目前只有德国实现了大规模生产。南开大学研究铜铟硒薄膜太阳电池已有19年历史,长期居于国内领先地位。2007年6月由天津保税区投资公司与南开大学及铜铟硒课题组共同出资组建的产、学、研一体化的股份制公司,以企业化方式进行中试技术开发。:来源:北方网o.371

3、33759291097.html荣誉元老能量83100个2楼发表于2009-1-3009:10PM

4、只看该作者【招聘】leed认证项目经理年薪18万起【帮助】提问的智慧IBM以涂布法形成的CIGS太阳能电池效率达到12.8%:t8s0Z3z*i4t-L+t*Q2V$F2J学会会场.G+L1[8`$l1c2i:A,?9`.i,x1W9n7f'k0p美国IBM以涂布形成的CIGS(Cu、In、Ga、Se)型太阳能电池的转换效率达到了12.8%。并在印度加尔各答举行的"18thInternationalPhotovoltaicScienc

5、eandEngineeringConference&Exhibition"上发表(演讲标题:SPINCOATINGOFDEVICE-QUALITYCIGSFILMSUSINGAHYDRAZINE-BASEDAPPROACH)。0g8h!]:r/n(e3s!a+x%S3^9@5PIBM和东京应化工业一直在致力于开发CIGS太阳能电池的制造工艺技术。目标是在常压下量产转换效率为15%的CIGS太阳能电池模块。:E0e2W5v4z,x:X0d/i'k4b'v%j在此次发表的演讲中,IBM介绍了利用涂布技术形成的开口面积不同的两种试制模块。

6、其中,面积0.45cm2模块的转换效率达到了12.8%。短路电流为28.2mA/cm2,开放电压为0.63V,曲线因数为71.5%。面积为1.1cm2的模块的转换效率为11.6%。0f7B3E/U.T7a:W&w&{!{*l#V9~9c%K此次是将厚度为1400nm左右的CIGS层分10次涂布。每次涂布都经短时间的热处理,而第10次涂布时热处理时间稍长。热处理温度为500℃左右。演讲中介绍,在500℃以下的热处理温度下增加O2处理可提高特性,但没有公开达到12.8%效率的制造条件详情。(记者:河合基伸)8X,s,G&v+th)Z!q

7、!v-^+[4p6f附件:您需要登录才可以下载或查看附件。没有帐号?立即注册【帮助】如何上传多个附件(包括图片)&如何在文章中插入图片TOPcnlwh发短消息加为好友cnlwh当前离线UID20246帖子26495精华16能量83100个注册时间2006-6-16最后登录2011-6-15荣誉元老能量83100个3楼发表于2009-1-3009:12PM

8、只看该作者【招聘】leed认证项目经理年薪18万起【帮助】提问的智慧德国Solibro开始供货CIGS太阳能电池1D"^Q,q,x%"B$M2N:l7P'T)xSolibro的C

9、IGS型太阳能电池模块)X4H%K2i7J7c8@德国太阳能电池厂商相继开始了CIGS型太阳能电池的生产和供货。其中,德国Q-CellsAG出资的德国SolibroGmbH宣布,在EUPVSEC上展示CIGS型太阳能电池模块的同时,已开始了供货。"目前的模块转换效率为10%左右"(解说员)。,~7J+!M(G/m#k._,G8t"Mh'A,d$h%n-a#[Solibro的CIGS型太阳能电池模块将供给德国HaWiEnergietechnikGmbH、德国SUNOVAAG、德国GeckologicGmbH、德国thermovolt

10、AG及德国SUNSETEnergietechnikGmbH。其中,HaWiEnergietechnik等还在EUPVSEC的本公司展区展示了Solibro的CIGS型太阳能电池模块。#H!t'b!`&D/h'm,l$F3T%`/H(h

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