超声波探伤探伤仪探头试块

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1、第二章　仪器、探头和试块１、超声波探伤仪２、超声波探头３、超声波试块1、超声波探头１、压电效应１）正压电效应晶体材料在外力拉压作用下，产生交变电场的效应称为正压电效应。２）逆压电效应晶体材料在交变电场作用下，产生伸缩变形的效应称为逆压电效应。ＡＢ－＋＋—a)石英晶体b)正压电效应c)逆压电效应2、压电材料的主要性能参数1)压电应变常数压电应变常数表示在压电晶体上施加单位电压时所产生的应变大小。式中　Ｕ——施加在压电晶片两面的应力Δt——晶片在厚度方向的变形量压电应变常数d33是衡量压电晶体材料发射灵敏度高低的重要参数。D33值越大，发射性能越好，发射灵敏度

2、越高。2)压电电压常数压电电压常数表示作用在压电晶体上单位应力所产生的电压梯度大小式中P——施加在压电晶片两面的应力Ｕp——晶片表面产生的电压梯度，即电压Ｕ与晶片厚度t之比，Ｕp＝Ｕ／ｔ压电电压常数g33是衡量压电晶体材料接收灵敏度高低的重要参数。g33值越大，接收性能越好，接收灵敏度越高。2、压电材料的主要性能参数3)介电常数介电常数表示在压电晶体上施加单位电压时所产生的应变大小。式中C——电容器电容t——电容器极板距离A——电容器极板面积介电常数　越大电容器存贮的电量越大。越小电容器放电时间越快频率越高。2、压电材料的主要性能参数4)机电耦合系数机电耦

3、合系数Ｋ，表示压电材料机械难（声能）与电能之间的转换效率当晶片振动时，同时产生厚度和径向两个方向的变形，因此机电耦合系数分为厚度方向Ｋt和径向Ｋp。Ｋt越大探测灵敏度越高。Ｋp越大，低频谐振波增多，发射脉冲变宽，导致分辨率下降，盲区增大。正压电效应负压电效应2、压电材料的主要性能参数5)机械品质因子压电晶片在谐振时贮存的机械能Ｅ贮与在一个周期内损耗的能量Ｅ损之比称为机械品质因子。机械品质因子值大，表示损耗小，晶片持续振动时间长，脉冲宽度大，分辨力低。反之值小，表示损耗大，脉冲宽度小，分辨力高。2、压电材料的主要性能参数6)频率常数压电晶片的厚度与因有频率的

4、乘积是一个常数，这个常数叫作频率常数式中cL——晶片中纵波声速t——晶片厚度f0——晶片固有频率晶片材料一定，频率越高，厚度越小2、压电材料的主要性能参数7)居里温度压电材料与磁性材料一样，其压电效应与温度有关，它只能在一定的温度范围内产生，超过一定的温度压电效应就会消失。使压电材料的压电效应消失的温度称为压电材料的居里温度，用Ｔc表示。结论：超声波探头对晶片的要求（1）机电耦合系数Ｋ较大，以便获得较高的转换效率（2）机械品质因子较小，以便获得较高的分辨率和较小的盲区（3）压电应变常数和压电电压常数较大，以便获得较高的发射灵敏度和接收灵敏度（4）频率常数Ｎ

5、较大，介电常数较小，以便获得较高的频率（5）居里温度Ｔ较高，声阻抗Ｚ适当2、压电材料的主要性能参数3、探头的种类和结构1)直探头（纵波探头）接口外壳电缆线阻尼块压电晶片保护膜直探头用于发射和接收纵波故又称纵波探头。主要用于探测与探测面平行的缺陷。如板材锻件探伤等。3、探头的种类和结构2)斜探头接口外壳电缆线阻尼块压电晶片斜楔斜探头可分为纵波斜探头（aL

6、面波，主要检测工件表面缺陷吸声材料3、探头的种类和结构3)双晶探头（分割探头）接口外壳电缆线阻尼块压电晶片延时块隔声层探伤区双晶探头有两块压电晶片，一块用于发射声波，一块用于接收声波。根据入射角不同分为纵波双晶探头和横波双晶探头。优点：（1）灵敏度高（2）杂波少盲区小（3）工件中近场区小（4）探测范围可调双晶探头主要用于检测近表面缺陷。根椐工件因选择合适的工作频率、晶片尺寸和探测深度。3、探头的种类和结构3)聚焦探头探伤区接口外壳电缆线阻尼块压电晶片斜楔吸声材料声透镜聚焦区聚焦探头分为点聚焦和线聚焦。点聚焦理想焦点为一点，其声透镜为球面；线聚焦理想焦点为一

7、条线，其声透镜为柱面。3、探头的种类和结构４)可变角探头可变角探头入射角可变，转动压电晶片可使入射角连续变化，从而实现纵波、横波、表面波和板波探伤。角度标尺接口外壳压电晶片旋转杆耦合剂保护膜4、探头型号和规格1)探头的标识探头的型号标识由以下几部分组成：基本频率晶片材料晶片尺寸探头种类特征基本频率：探头的发射频率，用阿拉伯数字表示，单位为ＭＨｚ晶片材料：用化学元素缩写符号表示晶片尺寸：压电晶片的大小，圆形晶片用直径表示，矩形用长乘宽表示，单位mm探头种类：汉语拼音缩写字母代表示探头特征：汉语拼音缩写字母代表示２)举例2.5P13X13K25B14ZK值为２

8、K值斜探头矩形晶片13X13mm锆钛酸铅陶瓷频率2.5MHz2.5