半导体器件的命名方法

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1、半导体器件的命名方法1．中国半导体器件的命名法根据中华人民共和国国家标准，半导体器件型号由五部分组成，其每一部分的含义见表表2-15 国产半导体器件的型号命名方法第一部分第二部分第 三 部 分第四部分第五部分用数字表示器件的电极数目用汉语拼音字母表示器件的材料和极性 用汉语拼音字母表示器件的类别用数字表示器件序号用汉语拼音字母表示规格号符号意义符号意 义符号意                 义  2二极管ABCDN型锗材料P型锗材料N型硅材料P型硅材料PVWCZLSNUK普通管微波管稳压管参量管整流管整

2、流堆隧道管阻尼管光电器件开关管  3三极管ABCDEPNP型锗材料NPN型锗材料PNP型硅材料NPN型硅材料化合物材料XGDAUK低频小功率管（fT＞3MHz,PC＜1W）高频小功率管（fT≥3MHz,PC＜1W）低频大功率（fT≤3MHz,PC≥1W）高频大功率（fT≥3MHz,PC≥1W）光电器件开关管      IYBJ可控整流器体效应器件雪崩管阶跃恢复管      CSBTFHPINJG场效应器件半导体特殊器件复合管PIN型管激光器件    例如3AD50C表示低频大功率PNP型锗管；3DG6E表

3、示高频小功率NPN型硅管。2.美国半导体器件命名法根据美国电子工业协会（EIA）规定的半导体器件型号命名方法如表2-16所示。表2-16 美国半导体器件型号的命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用符号表示器件的等级用数字表示PN结数目用字母表示材料用数字表示器件登记序号用字母表示同一器件的不同档次符号意 义符号意   义符号意  义符号意 义符号意 义 J军品1二极管 N表示不加热即半导体器件2～4位数字登记顺序号A、B、C…表示器件改进型无非军品 2三极管3四极管 例如1N4148表示开关二极

4、管，2N3464表示高频大功率NPN型硅管。3．日本半导体器件命名法日本半导体器件型号共用五部分组成，其表示方法如2-17。 表2-17 日本半导体器件命名法第一部分第二部分第 三 部 分第 四 部 分第 五 部 分用数字表示器件的电极数目用字母表示半导体器件用拉丁字母表示器件的结构和类型用2～3位数字表示器件登记顺序号用拉丁字母表示同一种型号器件的改进型符号意 义符号意  义符号意  义  0光电器件 S 半导体器件A高频PNP型三极管快速开关三极管1二极管2三极管B低频大功率PNP管3有三个PN结的器

5、件C高频及快速开关NPN三极管D低频大功率NPN管FP控制极可控硅GN控制极可控硅HN基极单结管JP沟道场效应管KN沟道场效应管M双向可控硅 例如2SA53表示高频PNP型三极管，1S92表示半导体二极管。4．欧洲半导体器件命名法由于目前欧洲各国没有明确统一的标准半导体器件型号命名法，故他们大都使用国际电子联合会的标准。半导体器件的型号一般由四部分组成，其基本含义如表2-18。表2-18 欧洲半导体器件命名法第一部分第 二 部 分第 三 部 分第四部分用字母表示器件使用的材料用字母表示器件的类型及主要特性

6、用数字或字母加数字表示登记号用字母表示对同一型号器件的改进符号意义符号意    义符号意     义符号意  义符号意义 A 锗材料 A检波二极管、开关二极管、混频二极管 P 光敏器件 三位数字 代表半导体器件的登记序号（同一类型器件使用一个登记号）ABCDE表示同一型号的半导体器件在某一参数方面的分档标志B硅材料 B变容二极管Q发光器件C砷化镓C低频小功率三极管R小功率可控硅D锑化铟D低频大功率三极管S小功率开关管R复合材料E隧道二极管T大功率可控硅  F高频小功率三极管U大功率开关管一个字母二位数字代

7、表专用半导体器件的登记序号（同一类型器件使用一个登记号）  G复合器件、其他器件X倍增二极管  H磁敏二极管Y整流二极管  K霍尔器件Z稳压二极管  L高频大功率三极管   补充说明：欧洲半导体器件型号除以上基本组成部分外，为进一步标明器件的特性，或对器件进一步分类，有时还加有后缀，后缀用破折号与基本部分分开。常见的后缀有以下几种。（1）稳压二极管型号后缀的第一部分是一个字母，用来表示器件标称稳定电压值的允许误差范围。其代表的意义如表2-19。表2-19 稳压二极管后缀字母的含义符  号ABCDE允许误差

8、%±1±2±5±10±20后缀的第二部分是数字，表示稳压二极管的标称稳定电压的整数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。（2）整流二极管和可控硅型号的后缀是数字，表示其最大反向电压值，单位是伏。例如BZY88-C9V1表示标称稳压值是9.1V、精度为±5%的硅稳压二极管；BTX64-200表示反向耐压为200V的大功率可控硅；BU406D表示大功率硅开关三极管。2.5.4 几种常