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1、实例设计在恒流源中，变压器的直流输入直流电压的范围为Vin(min)=250V,Vin(max)=38OV;输出功率Po=60W;输出电压Vo=58V，效率々=0.85;在NCP1377B中，其工作频率是可变的。1.首先我们来选择MOSFET管的额定电压。因为其额定电压是决定变压器匝比的主要因素。在直流输入电压最大时开关管的最大电压应力为V隱CMAX+^SPIKEV⑽为MOSFET关断吋，二次侧线圈反射至一次侧的电压；为一次侧漏感引起的尖峰，设计初期一般以30%的MOS人^来选择，具体调试则依Snubber缓冲线路设计时需考虑电压的85%de
2、-rating，所以此选用MOSFET为2SK2608，2A/900V。而V⑽=N*(VO+VF)待入上式得(VDSS*0.70-V„x-V麗)/(VVW)=2.8依选取MOS的Datasheet,査出相关各参数的规格：Ciss,Coss，Crss等。因此为准谐振线路，MOSVDS两端电容近似为谐振电容Cp(如两端无额外并联电容，则可近似取Coss),此电容的大小决定deadtime的长短，查表得Cp=llOpEo2.确定最低工作频率Xmin对于准谐振模式，工作频率是变化的，所以需以最低工作频率来确定其它相关参数。最低工作频率的确定需从两方面
3、考虑：一是为了采用较小尺寸的变压器，必须提高厂^,需注意1C的最高限频；二是为了降低开关损耗以及EMI噪声，应取得小些，需注意不能掉至音频以下。折衷考虑，通常全输入电压段/ymin取样范围为：25kIIz^50kIIzo因此有加PFC设计，仅需考虑输入电容的压降及PFC输出的误差即可，可适当取高工作频率，但从幵关损耗及EM1方面考虑，建议＜80kHz。这里选择/vmin=50kHz。1.确定一次侧最大峰值电流Ipk由式T()N+T()FF+=7T^L^Ct%^+VF)swp,rt匕=1=0.5*可得:,:2*P，d⑽+、)丨K,一c)n*々*
4、wcPK—7*V,,min(DC)*Vo,/7*V,,min(DC)*V0/?—p*Z,nin=1.47A1.求初级电感由式(6-15)得：Lp=————=1.29mH2.求开关管的导通吋间7^v,关断吋间7^F，死区吋间7；,山*空比D最人导通时间Ton:L丁=I*!Lon(max)~pkV：=7.677sinniin(DC)死区时间r„,:ic工作频率为L*/V()Rv=7T^^Li^Ci)=1.2t/sf,Ton+Toff^Tw=20"s占空比D为:D=Ton^fs=0.38可以根据以上公式反计算不同输入，不同负载下的工作频率和占空比，
5、以确保设计的合理性。7.求初、次极侧的直流电流有效值IDCnX/2nm3=Q-52A:.l=,P~DmaxI2=1.87ASrnixAJOSP8.计算AP,选取CORE和BOBBINl*/（I+//N}AP=A=2—，卜戸―__-=0.483cm^4上式屮，Afi选0.27T,绕组系数尺＞v=0.2,电流密度J=5A/mm八2根据高频变压器铁芯型式与功率参考表和CORE（磁芯）参数对照表选择型号为PC40EI28-Z。材料为PC40的磁芯，在100oC时饱和磁通密度Bs=0.39To故选Bmax二0.27T。磁芯的参数为Ae二82.1mm2、
6、Aw二71.8mm2、Le=64mm、每阻长度lw=52.2mm、Ve=5257mm3。选取屯流密度J=5A/mm2,（根据散热方式可取3〜6，一般设定值为5A/mm2）、绕组系数Kw=0.2。选定磁芯后实际AP值为Ae*Aw=0.59cm'4〉0.4839.求初级匝数Np、次级匝数Ns、气隙及辅助绕组匝数根据电磁感应定律可得，VN=—=^=86.13,取整为86匝1Sniax*4=1=30.72，取整为31匝sN气隙lg=Np*Np*uO*Ae/Lp=O.59mm，其屮u0=4pi*10~7NCP1377B供电电压取值范围一般设定为11.6
7、V-13.7V之间,选辅助绕组输出电压Vr=20V由Nr=Np*(l-Dmax)*Vr/[Dmax*Vin(min)]得Nr=ll.2,取整11匝7.选择绕组线径、确定股数1)计算趋肤深度d,由d=6.l/SQRT(f)得d=0.2956mm线径不能大于2d=0.5912mm,故原边所选线後dl=0.35mm,绕组线径:有效面积Sl=0.096211194醐"22)计算原边有效电流而积Sp,由Sp=Ip(rms)/J得Sp=0.106mnf23)计算原边股数，由原边股数=Sp/Sl得：原边股数=1.10取整原边股数=14)计算副边有效电流面积
8、Ss,由Ss=Is(rms)/J得Ss=0.330637846mm"25)计算副边股数，由副边股数=Ss/S2得：副边股数=3.90取整副边股数=46)辅助绕组股数
