将太阳能转化为电能的常用材料

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时间:2018-12-27

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1、为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划将太阳能转化为电能的常用材料  复习大纲  1.铝背场的作用:  ①减少少数载流子在背面复合的概率;  ②作为背面的金属电极;  ③提高电池的开路电压;  ④提高太阳电池的收集效率;  ⑤降低电池的反向饱和暗电流和背表面复合速率;  ⑥制作良好的欧姆接触。  2.简述晶体硅的制备工艺过程?  答:晶体硅太阳电池的制备工艺:p型硅片-清洗制绒-扩散制结  -去周边层-去PSG-镀减反射膜-印刷电  极-高温烧结-检测-分选-入库包装。  3.太阳能的利用形式:光化学转化、太阳能光热转

2、化和太阳能光  电转化。  4.太阳能电池理论效率最高为75%。  5.太阳常数:是指大气层外垂直于太阳光线的平面上,单位时间、目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划  单位面积内所接受的太阳能辐射。也就是说,在日地平均距离的  条件下,在地球大气上界,垂直于光线1C㎡的面积上,在1分  内所接受的太阳能辐射能量;为W/㎡。  6.太阳能能量转换方式主要分为光化学转化、太阳能光热转化  和太阳能

3、光电转化三种方式。  7.P-N结的形成原理。  答:⑴P型和N型半导体都呈电中性;  ⑵P型半导体的多子是空穴;N型半导体的多子是电子;  ⑶当P型半导体与N型半导体连接在一起时,由于PN结中不同区域的载流子分布存在浓度梯度,P型半导体材料中过剩的空穴通过扩散作用流动至N型半导体材料;同理,N型半导体材料中过剩的电子通过扩散作用流动至P型半导体材料。电子或空穴离开杂质原子后,该固定在晶格内的杂质原子被电离,因此在结区周围建立起了一个电场,以阻止电子或空穴的上述扩散流动,该电场所在的区域及耗尽区或者空间电荷区,故而称为PN结。如图所示:  在交界面,由于扩散运动,经过复合,出现空间电荷区。 

4、 8.P-N结半导体光生伏特效应的原理。  答:在半导体被光照射、产生光传导现象时,  如果由光产生的载目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划  流子在不同位置具有不均一性,或者由于PN结产生了内部载流子的话,就因扩散或者漂移效应而引起电子和空穴密度分布不平衡,从而产生电力,这一现象称为光生伏特效应.  9.太阳能电池的主要参数是短路电流、开路电压、填充因子和光电转换效率。  10.太阳能电池的

5、寄生电阻是指串联电阻Rs和并联电阻Rsh;  串联电阻Rs主要包括半导体内部的体电阻、电极用的金属与半导体表面层之间的接触电阻、电极用的金属本身的电阻和器件内部及外部线路互相连接的引线接触电阻;  ⑵并联电阻Rsh主要包括来自非理想的PN结和PN结附近的杂质,会引起PN结部分短路,特别是太阳能电池的边缘部分漏电现象,会使Rsh值减小。  11.简述制绒的定义、目的、原理、作用以及工艺流程;  答:1.制绒的定义:制绒是利用硅的各向异性腐蚀的特性在表面刻出类似于金字塔。  ?3.原理:陷光原理。  ?4.绒面的作用:①减少了太阳光的反射;②增加太阳光  在硅片内部的有效运动长度,就是增加了被吸

6、收的机会。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划  5.工艺流程:即先采用较高浓度的碱在高温条件下对单晶硅片进行短时间“粗抛”以去除硅片在线切割过程中形成的切割损伤。  漂洗  再用低浓度的碱和异丙醇的混合溶液对(100)晶面的方向的单晶硅片较长时间的各向异性腐蚀,这样可以在硅片表面形成类“金字塔”状的绒面,有效地增强了硅片表面对入射光的吸收,从而提高光生电流密度Jsc。  HF清洗  HCL清

7、洗  12.简述碱制绒、酸制绒的原理;  答:Ⅰ.碱性制绒原理:  ?1.适用范围:单晶硅SC-Si;  ?2.组份:NaoHorKoH;  ?3.反应式:2NaoH+H2o+Si=Na2Sio3+2H2or  2KoH+H2o+Si=K2Sio3+2H2  Ⅱ.酸性制绒原理:  ?2.组份:HNO3orHF  ?1.适用范围:多晶硅  ?3.反应式:Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O  SiO2

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