feptblt4gtc纳米复合多层薄膜的制备与表征

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时间:2019-02-14

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1、摘要本文采用磁控溅射方法制各了适用于硬磁盘存储的FePt,B#纳米复合多层薄膜,利用FePt的磁性及B。C的非磁性、良好的机械性及自润滑性,将硬磁盘制造中的三层工艺减少为一层,具有良好的应用前景。并利用振动样品磁强计、x射线衍射仪、x光电子能谱仪、磁力显微镜、透射电子显微镜、纳牛力学探针等分析手段,研究了样品随Fe俨t原子的比例、退火温度、B4c的掺杂量、循环单层的结构、循环单层中FePt的含量对样品磁性能的影响以及B4C的含量对样品硬度的影响。实验结果表明,若使用制备态一退火工艺,其它工艺参数一定时,Fe/Pt的溅射时间比为7:1时原子比最佳,矫顽力最大;退火温度为500

2、℃时矫顽力的大小比较合适;B4C的溅射时间为100S时样品的矫顽力最大并在大于200s后逐渐趋于定值,即B4c到达一定厚度后会阻碍退火过程中Fe/Pt原子的扩散,形成明显的分层结构;Fe/Pm徊4C结构比F叩佃4C结构更能使Fe/Pt原子混合均匀,得到更大的矫顽力;单循环层中FePt层越厚得到的矫顽力越大;薄膜的硬度随B。C的含量单调增大。若使用原位加温500℃工艺,同样发现Fc/Pt的溅射时问比为7:1时原子比最佳:薄膜的矫顽力随FePt层及B。C层的厚度均增加;薄膜的硬度随B。C的含量线性单调增大。由此可见,无论在哪种工艺条件下。通过调节FePt层的厚度以及调节B4C层

3、的厚度可以调节薄膜的矫顽力大小以及薄膜的硬度,选取合适的参数可以满足实际生产中硬磁盘存储的需要。进一步优化工艺以及在工艺上的继续探索,相信FcP佃。c纳米复合多层薄膜会是一种非常有实用价值和发展潜力的技术。关键词:磁控溅射FeP佃。C薄膜矫顽力硬度AbstI甚ctInthisresearch,themethodOfmagnetronsputteringsystemhasbeenusedtopfeparenaIlo-multilayerFcP佃;4Cthinfilmwhichusedinharddiskstorage.Thestudywhichutilizedthcma弘et

4、ismofFePtandmenon-magnetism,900dmechanismandself-lubricatiOnofB4C,reducetllelayersinharddiskmanufacturefromtllreet0one,haVegoodpotcntialinapplication.T11esamplehavestudiedontheratioofFB/Ptatoms,annealingtemperatIlfe,contentofB4C,st九lctureofsin出ecyclelayer,innuenceofma印etismbyFePtcontentins

5、in出ecyde1ayerandinnuenceofhardnessbyB4Ccontentbyseveralanal”icalmethods,suchasVSM,Ⅺm,XPS,MFMandNANOINDENTER.Hereisollrresults.Ifweuseas—deposjted—allIleaJingtechnology,thesputtertimeofFe/Ptat7:1isthebestwhenOtherpar锄etefsconstantly,thecoerdVityisthehi曲estinthatcase;CoerciVity丽llbeappropria

6、teinapplicationwhen砌ealingtemperatureis500℃;coerdVityisthehi曲estwhcnspunertimeofB4cis100s柚dtendtoaconstantafter2(燧,whichmeansacenenkindofttlicknessofB4Clayerwouldblockthedif£llseofFe,壬'tatomsinannealingpmcessfredy’becomeanobviouss印arateIayerstnlcn】re;ThestmctIlreofFe/Pt,11e/B4Cwouldgetmore

7、unifo加F色/Ptatomsandh噜hercoercivitythanF啦臼,B4C;More也ickefFePtinSin酎ecydelaycrcouldgethigllefcoerciv醇Hardness0f埘msinc鼻朗sewith助C’scontentraised.Ifwckc印subst眦etempefatureat500℃duringdeposition,alsofindnlespu滟rtimeofFe册at7:1ismebcsf;C0erdvityincrcase谢fhbotllFePt柚dB

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