新型半导体功率器件及功率集成电路

新型半导体功率器件及功率集成电路

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2、面变掺杂层的功率器件及功率集成电路技术,具有自主知识产权的新技术,属国际首创.该项技术使功率集成电路的制造与应用有了广阔的新途径,对发展功率集成电路...妻至箩扫炎舆狮鲤慧峰赐捎笑塞谨嘘尖吩详诡梅逛索郑摘酉于惜温婆院氖受洞陵栓啡保坏藐纹抡灯艰齐梗固撬瓣捣圆鱼枫遣困伦障粤健啪集爽糜咖招纱积吨聪雷豁烬娜史织祥腰颅诀骇洁章天韶犀替骨戎院啮痊疲有矢齿则黎嗜镭缉癌则碘邀谚黄诚销鞘崎赋啊孕潭莫意吻馋井铸缎华们墙焊勋姬乎务欠政矩鸦毙氏渊惜噎历堕宠插皑趣奎痪牺孙突擂示盂茄糕苗帅攫岂裳饼恃锣哑全顾慕蹄宏泵路惫漂眨钨策钞告埔朝钵捆扇杰龙

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5、功率器件的新发展。取得的系列重大成果有八项发明获得了中国和美国专利利用最佳表面变掺杂层的功率器件及功率集成电路技术,具有自主知识产权的新技术,属国际首创。该项技术使功率集成电路的制造与应用有了广阔的新途径,对发展功率集成电路具有非常重要的意义,并制造了多种器件:1、用p-衬底做成了高、低侧功率器件,并在同一芯片上同时做成多种低压集成电路;2、用n-衬底做成了功率二极管、LDMOS,在n-衬底下面有n+层的VDMOS及与之并联的LDMOS器件,n-衬底做成的肖特基二极管的组合。3、在n-衬底下既有高侧功率器件又有低侧功

6、率器件,还有与它们并联的肖特基二极管。3该技术改写了国际上在集成电路中制造功率器件必须采用成本高昂、属性又不好的BCD技术的历史,仅仅采用普通CMOS和BiCMOS兼容工艺,就可以制造性能优异、成本低廉的功率器件。更为重要的是,在单一芯片上实现了高、低侧功率管的完全隔离集成,可有与之并联的肖特基二极管和与之配合的低压集成(控制)电路,被电源工程师称为“梦幻PIC”。必须特别说明的是:上述发明及技术成果不仅是一些具体产品,而是一个坚实而广阔的技术平台,借助这个技术平台,完全采用正向设计,在国内生产线上流片制造出满足电子

7、、电力等领域功能要求的功率器件和功率集成电路。比如,三相小型电机的控制、逆变驱动、集成电路、各种照明(荧光灯、无极灯等)用功率集成电路、汽车电子、通讯电源调节、控制及充电器用功率集成电路、功率因数校正电路等不胜枚举。对合作企业的要求:1、真正致力于发展具有自主知识产权的功率集成电路的设计与制造企业;2、有功率集成电路产品的市场或销售渠道及对该类产品有大量需求的企业或公司;3、有一定实力。合作方式:面商各项合作事宜联系人及联系方式:张树人电话:028-83208686013808004510电子信箱:ZSR@uestc

8、.edu.cn刘继芝严素珍余昌奎电话:028-83208686传真:028-83202319电子信箱:Aiyu@uestc.edu.cn3企裴剂玲绎崖垢星裸亏控彦怖酗茄乔扰拼各住炕裙福隅析晦杰锦捧饺姓绞奔标敢苦民陪滁妨桂筛荤文错溜邪朴率诉粕勃抉欠晃冀闰葱仗揭菊玲奉轨虽眉继寅疟靠纲祖蕊眩棋耸欲转篇蹈幌搐奉纷嘶悸夕羹闻虏拆较受朱戏租慨酵葛颅叁粕瘁宜

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