低压CMOS带隙电压基准源设计

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1、第$4卷第$期固体电子学研究与进展YJQ3$4,8J3$$##4年4月17+7:1(5Z01*C17++*I++7)FU,$##4!"!!!!"硅!"!微!电!子"!低压!"#$带隙电压基准源设计#朱磊杨银堂朱樟明付永朝(西安电子科技大学微电子研究所,,西安,!"##!")$##%&#!&#!收稿,$##%&#’&#"收改稿摘要:在对传统典型()*+带隙电压基准源电路分析和总结的基础上,综合一级温度补偿、电流反馈技术,提出了一种"&,,-./(低压()*+带隙电压基准源。采用差分放大器作为基准源的负反馈运放,简化了电路设计。放大器输出用

2、作电路中0)*+电流源偏置,提高了电源抑制比(0+11)。整个电路采用2+)(#3%4!-()*+工艺实现,采用5+06(7进行仿真,仿真结果证明了基准源具有低温度系数和高电源抑制比。关键词:互补金属氧化物半导体工艺;带隙电压基准源;低压;温度系数;电源抑制比中图分类号:289#$文献标识码::文章编号:"###&%;"(’$##4)#$&$9< %&’()’*+,-.!"#$/,01-,23.4.5.06.=5>?@AB:8CBADEFDG=5>=HFDG-ADGI>BJDGKHFJ(!"#$%&’&#($%)"#*+)*("(,

3、(&,-"."/)0)"1&$*"(2,-"3/),!"##!",456)%78+5,6+:2H@L@MAGDJN"&,,-./(()*+OFDLGF,PJQEFG@R@N@R@DK@SAEHQJS,JS@RMT,,QUADE@-,@R&FETR@KJ-,@DMFEAJDFDLKTRR@DEKJ-,@DMFEAJDE@KHDJQJGUAML@MKRAO@LADEHAM,F,@R32H@LANN@R@DEAFQF-,QANA@RAMTM@LNJROFDLGF,R@N@R@DK@D@GFEAP@N@@LOFKVF-,QANA@R,SHAKH

4、MA-,QANA@MKARKTAEL@MAGD32H@OAFMADGJNEH@0)*+KTRR@DEMJTRK@AML@RAP@LNRJ-EH@JTE,TEPJQEFG@JNEH@F-,QANA@R,Q@FLADGEJFHAGH,JS@RMT,,QUR@&W@KEAJ(D0+11)32H@OFDLGF,R@N@R@DK@MS@R@A-,Q@-@DE@LADFMEFDLFRL#3%4!-()*+,RJK@MM32H@@DEAR@KARKTAEAMMA-TQFE@LSAEH5+06(7MA-TQFEAJDEJJQ,EH@R@MTQEMHJS

5、QJSE@-,@RFETR@KJ@NNAKA@DEFDLHAGH0+11ADEHAMKARKTAE39.:(’518:!"#$25’6.88;7,01-,2;’*+,-.5.4.5.06.;*’(;’*+,-.;+.<2.5,+=5.6’.44>6>.0+;?$33@@%!!:$4!#中,低温度系数、低功耗、高电源抑制比(0+11)的"引言基准源(1@N@R@DK@)设计十分关键。随着深亚微米集成电路技术的不断发展,集成电路的电源电压越在模.数转换器(:X()、数.模转换器(X:()、来越低。目前,"3;Y(#3";)和"34Y(#3"

6、4)!-!-动态存储器(X1:))、IQFMH存储器等集成电路设计的电源电压已开始广泛使用,而"3$Y(#3"%)和!-#基金项目:国家高技术研究发展;<%计划资助项目($##$::"="$"#)7&-FAQ:[HTQ@A4"<%3KJ-/期朱磊等:低压-&,+带隙电压基准源设计/FP!"#$(!"!#!%)的电源电压也即将应用于存储器(&’%()*)及片上系统(+,-)设计,所以研究基于标准-&,+工艺的低压基准源设计是十分必要的。由于带隙基准源能够实现高电源抑制比和低温度系数,是目前各种基准电压源电路中性能最佳的基准源电路。文献[

7、.—/]提出了几种具有温度补偿的传统带隙电压基准源电路,但是其电源电压和温度系数过高,而且输出参考电压都在."/0$左右。文献[120]提出了几种低压带隙基准源的方法,主要是二次电阻分压以及应用34&,+技术,(5)(B)结构都较为复杂。图.传统的带隙基准电压源:(5)带隙基准源原理图;(B)典型的带隙基准源电路本文首先对传统的带隙电压源原理进行分析AGH".4)5IGJG(:5KB5:IH59)’L’)’:M’(:5)C)G:MG9K’(LB5:IH59和总结,并采用电流反馈、一级温度补偿(基准源对)’L’)’:M’(;B)4*9GM

8、5KMG)MNGJ(LB5:IH59)’L’)’:M’温度的微分在室温下为零)技术设计了低压-&,+带隙电压基准源电路,其中带隙基准源的负反馈放由图(.B)可得大器为一级差分放大器,其输出电压用于产生自身!

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