《微机原理与接口技术》习题答案(1)

《微机原理与接口技术》习题答案(1)

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1、西安交通大学网络教育学院《微机原理与接口技术》习题答案一、单项选择题1、80486CPU进行算术和逻辑运算时,可处理的信息的长度为(D)。A、32位B、16位C、8位D、都可以2、在下面关于微处理器的叙述中,错误的是(C)。A、微处理器是用超大规模集成电路制成的具有运算和控制功能的芯片B、一台计算机的CPU含有1个或多个微处理器C、寄存器由具有特殊用途的部分内存单元组成,是内存的一部分D、不同型号的CPU可能具有不同的机器指令3、若用MB作为PC机主存容量的计量单位,1MB等于(B)字节。A、210个字节B、2

2、20个字节C、230个字节D、240个字节4、运算器在执行两个用补码表示的整数加法时,判断其是否溢出的规则为(D)。A、两个整数相加,若最高位(符号位)有进位,则一定发生溢出B、两个整数相加,若结果的符号位为0,则一定发生溢出C、两个整数相加,若结果的符号位为1,则一定发生溢出D、两个同号的整数相加,若结果的符号位与加数的符号位相反,则一定发生溢出5、运算器的主要功能是(C)。A、算术运算B、逻辑运算C、算术运算与逻辑运算D、函数运算6、指令ADDCX,55H[BP]的源操作数的寻址方式是(D)。A、寄存器寻址

3、B、直接寻址C、寄存器间接寻址D、寄存器相对寻址7、设(SS)=3300H,(SP)=1140H,在堆栈中压入5个字数据后,又弹出两个字数据,则(SP)=(A)A、113AHB、114AHC、1144HD、1140H8、若SI=0053H,BP=0054H,执行SUBSI,BP后,则(C)。A、CF=0,OF=0B、CF=0,OF=1C、CF=1,OF=0D、CF=1,OF=19、已知(BP)=0100H,(DS)=7000H,(SS)=8000H,(80100H)=24H,(80101H)=5AH,(7010

4、0H)=01H,(70101H)=02H,指令MOVBX,[BP]执行后,(BX)=(D)。A、0102HB、0201HC、245AHD、5A24H10、实模式下80486CPU对指令的寻址由(A)决定。A、CS,IPB、DS,IPC、SS,IPD、ES,IP11、使用80486汇编语言的伪操作指令定义:VALDB2DUP(1,2,3DUP(3),2DUP(1,0))则西安交通大学网络教育学院在VAL存储区内前十个字节单元的数据是(D)。A、1,2,3,3,2,1,0,1,2,3B、1,2,3,3,3,3,2,

5、1,0,1C、2,1,2,3,3,2,1,0D、1,2,3,3,3,1,0,1,0,112、下列四条指令都可用来使累加器清"0",但其中不能清"进位"位的是(C)。A、XORAL,ALB、ANDAL,0C、MOVAL,0D、SUBAL,AL13、若(AX)=96H,(BX)=65H,依次执行ADDAX,BX指令和DAA指令后,(AL)=(C)。A、0FBHB、01HC、61HD、0BH14、下列能使CF标志置1的指令是(C)。A、CMCB、CLCC、STCD、CLD15、MOVAX,[BP+SI]隐含使用的段寄

6、存器是(D)。A、CSB、DSC、ESD、SS16、计算机工作中只读不写的存储器是(B)。A、DRAMB、ROMC、SRAMD、EEPROM17、下面关于主存储器(也称为内存)的叙述中,不正确的是(B)。A、当前正在执行的指令与数据都必须存放在主存储器内,否则处理器不能进行处理B、存储器的读、写操作,一次仅读出或写入一个字节C、字节是主存储器中信息的基本编址单位D、从程序设计的角度来看,cache(高速缓存)也是主存储器18、CPU对存储器或I/O端口完成一次读/写操作所需的时间称为一个(B)周期。A、指令B、

7、总线C、时钟D、读写19、存取周期是指(D)。A、存储器的写入时间B、存储器的读出时间C、存储器进行连续写操作允许的最短时间间隔D、存储器进行连续读/写操作允许的最短时间3间隔20、下面的说法中,(C)是正确的。A、EPROM是不能改写的B、EPROM是可改写的,所以也是一种读写存储器C、EPROM是可改写的,但它不能作为读写存储器D、EPROM只能改写一次21、主存和CPU之间增加高速缓存的目的是(A)。西安交通大学网络教育学院A、解决CPU和主存间的速度匹配问题B、扩大主存容量C、既扩大主存容量,又提高存取

8、速度D、增强CPU的运算能力22、采用虚拟存储器的目的是(C)。A、提高主存速度B、扩大外存的容量C、扩大内存的寻址空间D、提高外存的速度23、某数据段位于以70000起始的存储区,若该段的长度为64KB,其末地址是(C)。A、70FFFHB、80000HC、7FFFFHD、8FFFFH24、微机系统中的存储器可分为四级,其中存储容量最大的是(D)。A、内存B、内部寄存器C、高速缓冲存

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