MCS-51单片机存储器扩展

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1、§5-1常用存储器§5-2MCS-51单片机扩展三总线构成§5-3MCS-51单片机程序存储器扩展§5-4MCS-51单片机数据存储器扩展§5-5选址译码方法与混合扩展●教学目的:本章主要学习MCS-51单片机存储器的扩展,包括单片机常用存储器性能特点和主要芯片等。在扩展总线的基础上,主要学习MCS-51单片机扩展程序存储器、数据存储器以及混合扩展的技术方法等。通过本章的学习,同学们应能掌握单片机与外部扩展芯片的连线方法,地址计算以及部分编程要领。第五章MCS-51单片机存储器扩展§5-1常用存储器芯片一、RAM

2、及常用静态RAM芯片RAM为随机存储器,分为TTL双极型和MOS单极型,SRAM为静态RAM,只要正常持续供电,即保持数据;DRAM为动态RAM,必须进行周期性刷新才能保持数据,单片机应用SRAM。目前常用的SRAM有6116,6264,62256等。管脚介绍:A0-AX地址总线D0-D7数据总线VCC、GND电源与地CE片选信号,低电平有效。该管脚为0时,才能对该芯片写入或读出;OE读选通,接单片机的RD管脚;WE写允许,接单片机的WR管脚。§5-1常用存储器芯片二、ROM常用芯片ROM为只读存储器,

3、特殊方式写入。按原理可分为:①掩膜ROM,厂家生产芯片时将内容写入;②PROM芯片出厂后可一次写入;③可擦除的ROM,可重复编程使用。目前主要为EPROM,EEPROM和FLASH。目前常用的EPROM有2764,27128,27256等。管脚介绍:A0-AX地址总线O0-O7数据总线VCC、GND电源与地CE片选信号,低电平有效。该管脚为0时,才能对该芯片进行编程或读出数据的操作;OE允许数据输出选通信号线,只有该管脚有效(为低)时,内容才能被读出,接单片机的PSEN端。VPP、PGM编程脉冲线。§5-1

4、常用存储器芯片三、EPROM芯片图片EPROM芯片与编程器图片§5-1常用存储器芯片三、EEPROM常用芯片EEPROM为电可擦除程序存储器,主要由在线编程写入。目前常用的有两种,一种为串行的,一种为并行的。串行的常用作数据保存,而作为程序存储器应选择并行的。目前主要有2817、2864等。FLASH为闪速存储器,是新型非易失大容量存储器件,速度快,容量大。管脚介绍:A0-AX地址总线I/O0-I/O7数据总线VCC、GND电源与地CE片选信号,低电平有效。该管脚为0时,才能对该芯片进行编程或读出数据的操作;

5、OE允许数据输出选通信号线,只有该管脚有效(为低)时,内容才能被读出,接单片机的PSEN端。RDY/BUSY数据写入式的状态查询,若为高则可写入。§5-2MCS-51单片机扩展三总线构成一、三总线的概念地址总线AB数据总线DB控制总线是单片机发出的一组用于片外ROM、RAM和I/O端口读写操作控制的信号线。二、扩展三总线的构成P0作为数据与低8位地址总线的复用线;P2作为地址的高8位,如果有其中一条用作了地址线,其余的也不能再作为I/O使用;控制:ALE端地址锁存的选通信号,以实现对P0口输出低8位地址的锁存;

6、PSEN端连接外部EPROM的OE端,作为其选通信号;EA端:作为低4KB程序的片内外选择端,为高时,应用片内程序存储器;RD端:作为外扩RAM或I/O端口的读选通信号;WR端:作为外扩RAM或I/O端口的写选通信号。§5-2MCS-51单片机扩展三总线构成MCS-51扩展三总线及其实现§5-3MCS-51单片机程序存储器扩展一、应用27128扩展16KB外扩16KBEPROM的连线方式§5-3MCS-51单片机程序存储器扩展二、应用27128扩展16KB的地址计算A0-A13—P0,P2.0-P2.5A14-

7、P2.6—CEA15-P2.7因27128无A15,因此,此管脚要注意。PC值A15A14A13A12……A3A2A1A0被寻址单元0000H0000……0000第一单元0001H0000……0000第二单元3FFEH0011……1110次最后单元3FFFH0011……1111最后单元§5-4MCS-51单片机数据存储器扩展一、应用62256扩展32KB外扩32KBRAM的连线方式§5-4MCS-51单片机数据存储器扩展二、应用62256扩展32KB32KB的地址空间为:0000H-7FFFH单元向外部RAM写

8、入数据为:MOVX@DPTR,A读出为:MOVXA,@DPTR当执行写数据指令时,CPU把DPTR的地址分为DPH和DPL高低两个字节,并分别从P2、P0口送出,ALE使P0口输出的内容锁存在74LS373中,这样,P2口与锁存器共同输出的16位地址寻址DPTR所指定的字节单元,接着CPU使WR端输出低电平,使62256写允许信号WR有效,再把A中的内容从P0口送出,

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