资源描述：
《2017广东工业大学模拟电子技术试卷附答案》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、C）广东工业大学考试试卷（）课程名称：模拟电子技术考试时间：第12周星期五（11月日）题号一二三四五六七八九十总分得分评分人n[r>一、填空题（每题2分，共20分）1.PN结反向偏置时，PN结的内电场被o2.共射放大电路，将Ieq增大，Rbe将.减小。3.双极型晶体管是一电流（电流,电压）控制型元件；场效应管是（电压（电流,电压）控制型元件。双极型晶体管输入电阻较小（大，小）；场效应管输入电阻很大（大，小）。4.在共射、共集、共基三种基本组态电路中，希望工作频率较高的电路是_共基_;希望带负载能力最强的电路是一共集。5.某晶体管的
2、电路如图1所示，则该管工作在饱和状态。9.1kQ8.2kQ图1Q+2.7V+o—BUo石+2V6E图3O—+U一一6、某MOS放大电路的外部电路如图2所示，由图即可判断该管是（耗尽）型MOS管。7、测得某晶体管三个极的电位如图3所示，则该管工作在饱和状态。8、晶体管“集一基”极间反向饱和电流为Icbo,则“集一射”极间的反向饱和电流Iceo为__（1+B）Icbo9、在BJT三种组态放大电路中，电流放大倍数最高的是,输入电阻最小的是一共基极一・10、晶体管阻容耦合放大器电路中，高频时放大倍数下降的主要原因是一极间电容—的影响；低频
3、时放大倍数下降的主要原因是—耦合电容旁路电容一的影响。二•…项选择题（每小题2分，共12分）在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。11・在本征半导体中掺入三价元素后的半导体为（B）（A）本征半导体（B）p型半导体（C）n型半导体12.带射极电阻Re的共射放大电路，在并联交流旁路电容Ce,后其电压放大倍数（B）A.减小B.增大C.不变D.变为零13.场效应管放大电路的输入电阻，主要由（C）决定A.管子类型B.gmC.偏置电路D.Ugs14.晶体三极管基极电流7B=0.02mA,发
4、射极电流ZR=1.02mA,其电流放大系数a分别为（B）。A.51、0.98B.50、0.98C.49、0.98D.48、0.9815.某放大电路最大源电压增益Avsm=40dB,则在上限频率/h处的源电压增益为（B）dB。A.35B.37C.40D.4316.输入信号£的频率范围为50Hz〜20kHz,应选择下限频率九和上限频率忌分别为（C）的放大电路，才能对信号进行不失真放大。AW50Hz、$15kHzB.WlOOHz、315kHzC.W5（）Hz、220kHzD.WlOOHz、>20kHz三、计算题（共68分）1.已知：%=
5、6V,Rb=265KQ,Rc=3KQ,0=5O,Ubeq=0.7V,rbb.=300Q。电路如图示，试回答下列问题：（1）写出直流负载线表达式，在图（b）上画出直流负载线,求静态工作点（Icq，Uceq,Ibq:（2）画出微变有效电路，求出电压放大倍数ri>ro,Y⑶求最大不失真电压"分）2、低频交流放大电路如图5所示，该电路有两个输岀端。已知Ucc=12V,/?B=300kQRc=^e=2kQ,他二100Q,0=5（）,rbe=lkQo（1）计算静态值/b、Ic、Uce（C/be=0.7V）；••（2）画出微变等效电路，求两个输
6、出端的电压放大倍数九
7、=$和人门二侄；"Uiu-u.（3）求该电路输入电阻林和两个输出端的输出电阻心和ro2；（4）如果输入信号是正弦信号，试对比输入信号定性画出输出电压仏］及仏2波形；（14分）OCCR.R图5+U3.已知RBii=30kQ,RBi2=20kQ,RB2=130kQ,,Rci=4kQ,,REi=4kQ,RE2=3kQ,RL=3kQ,卩1二卩2二50,Ucc=12Vo求静态工作点及电压放大倍数。（12分）Rs=2kQ，3.已矢口Rg二10MQ,Rgf2MQ,RG2=47kQ,Rd二30kQ,Udd=18V,UGs=-
8、0.2Vgm=1.2.mA/V。求⑴静态工作点;(2)电压放大倍数;(3)输入电阻和输岀电阻。(12分)3.电路如图所示，场效应管的输出特性如图所示。试分析当刃=2V、8V.12V三种情况下，场效应管分别工作于什么区域。（6分）6.某共射电路如题图,已知三极管的rbb，=300Q,rb，e=700Q,gm=0.04s不考虑G，c,G，e=400pF,图中G=2pF,C2=4uF,Rb=20kQ,Rs=800Q,Rc=RL=2kQ；（12分）（1）计算上、下限截止频率几九;（2）简要画出幅频、相频特性波特图；(-)
