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1、Mstar平台四层板设计指南---Lis.Kuo/Jw.liang/Spring.tan---20101028----天线接收灵敏度优化设计1目录案例分析A案例分析B案例分析C案例分析D案例分析E案例分析优化设计天线角度优化设计原理图,布局与Layout角度优化设计关键部件选择角度优化设计天线接收灵敏度优化设计2天线接收灵敏度优化设计A案例分析現象描述:A案例,整机测试EIS只有-97dbm;A案例分析:LCM引入干扰,EIS会降低6.5-9dBm.CAM引入干扰,EIS会降低6-7dBm.LCM与CAM是引起EIS偏低的两个干扰源.3天线接收
2、灵敏度优化设计A案例分析A案例改善措施:将LCM两端的两个大的GNDPAD接地处理,ESI可以提高5-6dBm.4天线接收灵敏度优化设计A案例分析A案例改善措施:CAMFPC没有GND屏蔽层,并且CAM的数据控制线没有预留滤波器件,CAMFPC焊盘处于天线下方;采用导电布将CAMFPC屏蔽接地,EIS可以提高5-6dBm.5B案例分析天线接收灵敏度优化设计現象描述:B案例,整机测试EIS只有-96~-100dbm;B案例分析:LCM引入干扰,EIS会降低5~6.5dBm.CAM引入干扰,EIS会降低2~3dBm.LCM与CAM是引起EIS偏低的
3、两个干扰源.6天线接收灵敏度优化设计B案例分析B案例改善措施:将LCM两端的两个大的GNDPAD接地处理,ESI可以提高2~4dBm.7B案例分析天线接收灵敏度优化设计B案例分析:分析LCMLayoutLine,右图一MCP线与LCM线相邻层平行走线,紫色为LCMLayoutLine,相邻的绿色为MCPLayoutLine线;同层LCM临近MCP线布线,蓝色圈内是MCPLayoutLine,红色圈是LCMLayoutLine线;干扰远应该是MCPNoise耦合到LCMLayoutLine线,经过LCMFPC辐射出来,从而使得ESI降低5-6dB
4、m.8B案例分析B案例改善措施:CAMFPC没有GND屏蔽层,并且CAM的数据控制线没有预留滤波器件,CAMFPC焊盘处于天线下方;采用导电布将CAMFPC屏蔽接地,EIS可以提高1.5~2dBm.9天线接收灵敏度优化设计B案例分析B案例Layout分析:绿色区域是CAM线,并且走在LCM下面,LCM没有带接地屏蔽框,能很好的屏蔽CAMLayoutLine的辐射出的Noise,降低ESI;蓝色Line是LCM边框线.10C案例分析現象描述C案例,整机天线耦合测试时灵敏度只有-98dBm左右原因分析1BB屏蔽盖屏蔽效果差（有一边受镂空的），对天线
5、造成干扰。2靠近天线的主板表层分布Vbatter等许多电源线，干扰到天线。解決方法1用导电布加强BB的屏蔽效果。2把走在表层的Vbatter等电源线用导电布屏蔽。3最后效果，低频TIS达到-103dBm,最大值达到-107，-108dBm。11C案例分析主板表层靠近天线附件的Vbatt，VBB，VRF等电源线12C案例分析BB芯片的屏蔽盖有一边没接触到地，有个很大的缝隙。13C案例分析屏蔽表层VBATT等电源线加强BB芯片部分屏蔽处理14C案例分析按照以上处理后天线的3D耦合测试数据如下，可见天线接收GSMch975TIS明显提高15D案例分析
6、現象描述1D案例,整机天线耦合测试时高频855信道附件灵敏度只有-88dBm左右2低频段灵敏度只有100dBm左右。原因分析1高频段855信道附近灵敏只有-88dBm，是由于天线正下面有FM发射器件干扰。2低频段灵敏度差是由于主板等效谐振长度不够长，照成低频段天线效率低。解決方法1去掉天线正下方的FM发射器件，测试高频段855附件信道TIS提高了十几dBm，达到-101dBm，最大能到-105,106dBm2采用导电布加强按键板和主地联通，延长PCB参考地，这样天线低频段的效率显著提高，TIS到达-102dBm。天线接收灵敏度优化设计16D案例
7、分析主板如下图所示，长度为64mm（偏短）而且没做任何延长主板地的措施天线正下方有FM发射器件，如图所示17D案例分析主板地和按键板处分导通，延长主板地使PCB延長18D案例分析延長PCBground對GSMbandgain會有所提昇,TIS提高約2dB,去除FM發射器可改善DCSch885TIS至-101dBm.19E案例分析現象描述1E案例,BB就靠近天线，而且BB屏蔽盖屏蔽效果很差，四周有很多缝隙，从而照成对天线的干扰。大环形金属前壳，在闭环状态靠近天线，干扰天线，造成天线灵敏度差。原因分析BB就靠近天线，而且BB屏蔽盖屏蔽效果很差，四周
8、有很多缝隙，从而照成对天线的干扰。大环形金属前壳，在闭环状态靠近天线，干扰天线，造成天线灵敏度差。解決方法采用导电布加强BB屏蔽效果，接收灵敏度马上提
