碲化镉薄膜太阳能电池.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN202601693U*(12)实用新型专利(10)授权公告号CN202601693U(45)授权公告日2012.12.12(21)申请号201220201572.2(22)申请日2012.05.08(73)专利权人成都中光电阿波罗太阳能有限公司地址610200四川省成都市双流西航港经济开发区腾飞三路485号(72)发明人彭寿潘锦功谢义成傅干华(74)专利代理机构泰和泰律师事务所51219代理人魏常巍伍姝茜(51)Int.Cl.H01L31/073(2012.01)权利要

2、求书1页说明书3页附图1页权利要求书1页说明书3页附图1页(54)实用新型名称碲化镉薄膜太阳能电池(57)摘要本实用新型提供了一种碲化镉薄膜太阳能电池,包括基材,基材表面上由内向外依次沉积有透明导电层、高阻层、缓冲层、碲化镉层和背接触层,所述透明导电层硼掺杂的氧化锌层;本实用新型由于采用了上述方案,电池的转换效率显著改善,且该结构的碲化镉薄膜太阳能电池成本低廉,产品性价比优异。CN202601693UCN202601693U权利要求书1/1页1.一种碲化镉薄膜太阳能电池,包括基材,基材表面上由内向外依次沉积有透

3、明导电层、高阻层、缓冲层、碲化镉层和背接触层,其特征在于:所述透明导电层为硼掺杂的氧化锌层。2.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于:所述高阻层为本征氧化锌层。3.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于:所述缓冲层为硫化镉层。4.根据权利要求1至3任一权利要求所述的碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于:透明导电层的厚度为500-1000纳米。5.根据权利要求4所述的碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于:高阻层厚度为30-120纳米。6.根据权利要求5所述的碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于:

4、缓冲层厚度为40-200纳米。7.根据权利要求6所述的碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于:碲化镉层厚度为2-6微米。8.根据权利要求7所述的碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于:背接触层厚度为500-800纳米。2CN202601693U说明书1/3页碲化镉薄膜太阳能电池技术领域[0001]本实用新型涉及薄膜太阳能电池,特别涉及一种碲化镉薄膜太阳能电池。背景技术[0002]一般来说,生产在玻璃衬底上的碲化镉薄膜太阳能电池基本依次要生长如下几种薄膜:透明导电层,高阻层,n型硫化镉层,p型碲化镉层以后背接触层。在碲化镉薄

5、膜太阳能电池中,透明导电层和高阻层组合通常有三类:第一类是锡掺杂的氧化铟(In2O3:Sn,ITO)和本征氧化锡(SnO2)组合,这类组合中因为含金属铟,成本较高,目前在大规模生产中已很少使用;第二类是锡酸镉(Cd2SnO4,CTO)和锡酸锌(Zn2SnO4,ZTO),这类组合中2种薄膜的性能优异,但生产难度较大;第三类是氟掺杂的氧化锡(SnO2:F,FTO)和本征氧化锡(SnO2)组合,这种组合中透明导电层FTO性能中等,但因为能够承受碲化镉薄膜沉积所需o要的超过500C的高温环境,而且成本较低,目前在大规模

6、生产中使用广泛。但相比其他透明导电层,如ZnO基透明导电层和ITO透明导电层等,FTO的光学和电学性能并不占任何优势,如FTO在可见光段透过率较其它透明导电层要高,导致透射到碲化镉薄膜的光强下降,这就降低了碲化镉薄膜太阳能电池的转换效率。实用新型内容[0003]本实用新型的目的是克服所述缺陷,提供一种碲化镉薄膜太阳能电池,转换效率高,性能长期稳定性好。[0004]本实用新型的技术目的是通过以下方案来实现的:[0005]一种碲化镉薄膜太阳能电池,一种碲化镉薄膜太阳能电池,包括基材,基材表面上由内向外依次沉积有透明

7、导电层、高阻层、缓冲层、碲化镉层和背接触层,所述透明导电层硼掺杂的氧化锌层。[0006]在本实用新型方案中,所述基材可以为玻璃等现有技术的常用基材,所述高阻层可以为氧化锌,所述缓冲层可以为已知的硫化镉,所述背接触层可以为已知的Sb2Te3/Ni:V、ZnTe:Cu/Mo等。[0007]采用硼掺杂的氧化锌作为透明导电层,因其透光率较FTO高,也即是说,直接照射到光吸收层碲化镉层的光更强,能够提高碲化镉薄膜太阳能电池的转换效率。[0008]优选的,所述透明导电层为硼掺杂的氧化锌层。[0009]优选的,所述高阻层为本

8、征氧化锌层。[0010]优选的,所述缓冲层为硫化镉层。[0011]优选的,透明导电层的厚度为500-1000纳米。[0012]优选的,高阻层厚度为30-120纳米。[0013]优选的,缓冲层厚度为40-200纳米。[0014]优选的,碲化镉层厚度为2-6微米。[0015]优选的,背接触层厚度为500-800纳米。3CN202601693U说明书2/3页[0016]本实用新型的有益效果:

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