电镀技术在凸点制备工艺中的应用

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1、第4#卷第(期微电子学Y>CZ4#，[(!""#年X月!"#$%&’&#($%)"#*-D@Z!""#!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!电镀技术在凸点制备工艺中的应用罗&驰，练&东（中国电子科技集团公司第二十四研究所，重庆&("""#"）&摘&要：&简要回顾了微电子封装的发展历程；描述了)*、+,-、*./以及01/的基本概念；归纳了凸点类型以及各种凸点的不同用途；着重介绍了电镀金、金锡、锡铅、锡银和化学镀镍凸点的工艺过程，最后简单介绍了

2、制备凸点的电镀设备。关键词：&微电子封装；芯片级封装；圆片级封装；电镀；凸点制备中图分类号：&234"’56(&&&&&&文献标识码：&-&&&&&&文章编号：%""($44#’（!""#）"($"(#7$"#&!""#$%&’$()(*+#,%’-("#&’$)./,%0)(#(.1’(2(#3,-456"$).7(-6&’$()189*:;，1<-3=>?@（!"#$%&’(’)*"*%*+,-!,."/0!*&*+1"2#%"*)，1$"’&3.+#*2,’"#)4+#$’,.,5672,%

3、81,289，1$,’5:"’5("""#"，;9<91$"’&）&!89’-&%’：&2:AAB>CDE;>?>FG;HI>ACAHEI>?;HJKLHML@;?@;JNI;AFCOIAB;APAQ5+LJ;HH>?HAKEJ>FFC;KH:;（K)*），NLCC@I;QLIIL（O+,-），H:;KJ;RAKLHML@A（*./）L?QPLFAICABACKLHML@A（01/）LIAQALCEP;E:5=;FFAIA?EEOKAJ>FNDGK;?@JL?QE:A;ILKKC;HLE;>?JL

4、IAJDGGAI;RAQ5SCAHEI>KCLE;?@KI>HAJJAJ>F-D，-D$.?，.?$/N，.?$-@L?QH:AG;HLC?;HMAC$KCLEAQNDGK;?@JLIAQAJHI;NAQ;?KLIE;HDCLI5-?QF;?LCCO，ACAHEI>KCLE;?@ATD;KGA?EJF>INDGK;?@F>IGLE;>?LIA;?EI>QDHAQ5:,1;(-39：&U;HI>ACAHEI>?;HJKLHML@;?@；*:;KJ;RAKLHML@A；0LFAICABACKLHML@

5、A；SCAHEI>KCLE;?@；.>CQAINDGK;?@++!<<：&"%7"V&U*U、微机电系统或一些组件的芯片组装方面，将%&引&言裸芯片的组装方式从线键合变为倒装焊，可进一步减小电子系统的面积和体积，提高组装密度，以及自从上世纪中期晶体管的发明以及随后半导缩短互连线长度，从而减小寄生效应，减少焊点数体集成电路出现以来，半导体封装在结构上经历了量，提高电路的可靠性。29（圆形金属封装）*=

6、四面引线封装）*+,-装芯片（)*），其最关键的技术均是凸点技术。因（焊球阵列）的发展历程。到了上世纪6"年代，随为只有具备凸点结构，才可能进行倒装焊接；而只着半导体工业的飞速发展，芯片的功能越来越强，有采用倒装焊接的连接方式，才具备上述种种优需要的外引脚数也不断增加，封装体积也不断增势。大。在这种背景下，日本富士通公司提出了芯片级封装（*./）。*./技术以后，又逐渐出现了基于圆!&相关概念片的*./技术，即圆片级封装技术（01/）。从总最早的倒装芯片是<+U公司在%6#"年代为的趋势来看，封装

7、正朝着引脚数更多、体积更小、功其大型计算机主机开发的，即所谓的*(技术（可能更强大、速度和频率更高的趋势发展。而+,-、控塌陷芯片连接技术）。这是最早的具备凸点结*./以及01/等先进面阵封装正是由于在系统中［%］构通过倒装焊来连接的技术。这种倒装芯片最采用了凸点倒装焊的连接方式，因此才具有上述优初采取铜凸点，最终选取的方案为真空淀积锡铅焊势，显现出旺盛的生命力。料凸点。这种技术一直在<+U公司和其他厂家使除了在封装领域内的应用，在混合集成电路、收稿日期：万方数据!""#$"%$%!；&定稿日期：

8、!""#$"’$!(+6@A罗+驰等：电镀技术在凸点制备工艺中的应用433@年+用了几十年，并保持着高的可靠性记录。之后，逐渐出现了基于凸点技术的!"#、$%&以及’(&等5+凸点材料的选择及其用途封装技术。)$、!"#、$%&以及’(&都含有凸点结构，然凸点技术包括凸点材料的选择，凸点尺寸的设而，它们的概念是完全不同的。一般来说，)$主要计，凸点的制备以及凸点的可靠性测试等。其中，是裸芯片，而!"#、$%&以及’(&是封装体。凸点材料的选择尤其重要。凸点的材料不同，使用)$：广义