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1、,、更先进的技术重新进行了设计大大降低了延迟时。频率的4倍所以内存生产商生产,.间延迟时间介于1sns到.22ns之间与目前仍停留在微米DDRn芯片并不需要对现有技术做太,,生产工艺相比现在ODR且内存采用(由厂商根据工作频率不同而设定),大的改进这无疑具有很大的成本优.。,nsDDRg。更先进的工艺如世界上著名的内存远低于的2由于延迟时间,势但要注意一点DDRn虽然采用,“DDRn生产厂商Kingmax推出的极速战的降低从而使可以达到更高.四位预读取但在实际效能上与DDR,”1GHz神Mars系列DDRu内存的内存顺的频率(最高可以达到以上)而。是相同的为了保持较高的
2、数据传输,。DDR粒就采用了新一代010微米技术而由于已经接近了物理极限延迟,率ODRn采用了双向数据控制针。,JEDECDRDDRfl时间无法进一步降低由(电,且和D内存相比内存所脚针脚数也由DD凡的184Pin变为.,,只需要18V子元件工业联合会)制定的内存标准,,需的电压更低这使得240iPn当然这也使得DnRn不兼DDR1400DRn533DORn的功耗和发热量都会在一定程规格为与D。容DDR内存,。两种但是一些内存厂商凭借着自身度上得以降低不过降低工作电压也,来了一个问题:由于DDRn的核心电产品的优良用料已经推出了DDRn。“.,5ngnrax压只有1SV
3、使得DDRn的信号边3以上的产品如Ki极速”,Mar段DDRl沿斜率比DDR低电压信号上升时间战神系列内存产品目,。前拥有的就是ODR官乡3和DDRn加长这就加大了制造上的难度另。,。667两种频率的内存外ODRn将有两种封装形式如果,一数据位宽是4ibt/sbit就采用64ball,4位预读取架构的BFGA(细密球型网阵列)封装数,一DDRlDDR据位宽是16bit则采用84ball的在的基础上新增4。4bitPrefeetFBGA封装位数据预读取()的特,,DDRn。除此之外)lI〕Rn内存在制作方性这也是的关键技术之一,、。DDRn式上也比ODR内存更加可靠环保比
4、在中核心频率和时钟频率是,,“”如Kingllax的极速战神Mars系列不一样的在数据包预读取方面DDRn内存就采用了无铅制程技DDRn采用了4位预读取架构(DDRODT功能术和。,采用的是2位预读取架构)这个4位绿化制程技术除采用无铅化的IC顺DDRl的另一个革新是加人了,amus4PCB预读取技术有点类似于Rb的。粒外印刷电路板()及SMT生产ODT功能ODT英文全称为OnD元e,倍信号模拟技术它可以在核心频率r,线的焊接材料及温度等参数也都进行Teinato(片内终结器设讨)主要。lnr,,较低的情况下实现较高的数据传输率了调整并通过高温的可靠度侧试兼作用是吸收没
5、有被电路终端吸收的多。。顾以DDR1533为例其核心频率/时、,了环保与产品性能余信号减少信号反射以提高信号,钟频率分别是133MHz/266MHz/数、。的品质避免数据运算出错DDR由,据传愉率为53MbsP利用4位预读,更高的撅率于没有ODT功能必须通过在主板上,在DDRn中整个内存子系统都取技术可使数据传输率达到核心工作,集成终结电阻来解决信号干扰问题(下转24页),,,x!一4圈形芯片厂商。,图诚即将发布他们的p。:图形芯片首发的p。卜:圈形芯片是:G。和x。;7圈形芯片这两款圈形芯片都将在5月份推出2},一)娜日hrdwar.epcfanco,械遇豁胜玲贾任编
6、辑陈扬轶@m。,,,当C今n颐n。平台发布时切etl捆PRO/Wierl翻2915ABG的功耗问题惫义也不是很大从某种意义上看、.“sono绑尤线网卡作为其中不可或缺的一个大家不必担心借助Int川独有的电ma是一个打基础的平台因为在“,“”,.rapante组件综合控制能耗源节那模式产PRO/Wiele:。未来全新的N(Il第三代讯驰并解释是为了,,,虽然当时有强行占领无线市场的嫌疑2915ABG的实际功耗与PRO/W主r平台由双核心Yonha处理器新一代一,,”a但最终肴来I爪eI的解释并非徽衍le,2l0()3B和PRO/Wierl220BG无线组件和整合了图形芯片
7、的Cl纽毗。加es。”,,::大众PRO/Wireles321003B和大致相同牛芯片组组成)移动平台诞生之前nItel,、PRO/Wierle绍20BG的工作功耗确总评必须将S八TA硬盘DDR刀内存PC卜“”,`。从技术角度上看,Soma一款ExPr翻始等技术彻底消化以便描配实要比第三方厂商的产品低困跳对on是。双核心移动处理器的N目革新但又具备过如大展宏图,,、n0IT旧;从市场角度上看间世后彼性的平台从oS.占33MH琴Oothn。自我们将首先看到C即trin平台的降价AI寸15。这对许多持币称叻的用户来说无疑是个处理器到,`.一芯
