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《硅基上图案化自组装膜的制备及表征.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在应用文档-天天文库。
1、1674-2869(2011)09-0004-03硅基上图案化自组装膜的制备及表征熊芳馨陈春晓刘善堂绿色化工过程教育部重点实验室，武汉工程大学化工与制药学院，湖北武汉430074摘要：基底上图案化纳米薄膜的制备在微观结构设计领域有广泛应用，在硅基上制备端基为乙烯基的自组装单层膜，利用铜丝电氧化以及高锰酸钾混合溶液氧化，制备不同端基表面的单、双层自组装膜.采用红外光谱(FTIR)、接触角以及原子力显微镜(AFM)对所制备的薄膜进行表征.红外检测结果表明：乙烯基表面经氧化后转变为羧基表面，氧化前后接触角从58.1°转变为19.9°，说明薄膜的亲水性有明显的变化
2、，原子力显微镜扫描得到薄膜的表面形貌，可观察到不同薄膜表面之间的相位及高度变化.结果表明：自组装技术与电氧化法相结合能够有效地制备出不同性质的图案化表面，以用于未来微纳米器件等领域的研究.硅基薄膜；电氧化；自组装Q611.4;Q65A10.3969/j.issn.1674-2869.2011.09.0022011-05-22熊芳馨（1986-），女，河南信阳人，硕士研究生.研究方向：纳米多层膜.刘善堂，教授，博导.研究方向：绿色化工过程与工艺.后的甲苯做自在氧化后的@@[1]WangW,GutuT,GaleDK,etal.SelfAssemblyofNan
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