内存颗粒识别.doc

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1、内存颗粒识别存储颗粒主要有这样的一些品牌:美国的Micron(美光)、德国的Infineon(英飞凌);韩国的SAMSUNG(三星)、HY(现代);日本的NEC(日本电气)、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝);台湾的EilteMT、ESMT(晶豪)、EtronTech(钰创)、Winbond(华邦)、Mosel(茂矽)、Vanguard(世界先进)、Nanya(南亚)。有的品牌现在已经没有被采用了,只有在SDRAM时代采用过,有的品牌在DDR时代采用的也不多了。显存种类主要分SD和DDR两种,有时候,他们可以从编号上区分,DDR的

2、可能会注明“D”,SDRAM的注明“S”或者其他字母。另外主要从管角数量上来区分,以TSOP封装来说,SDRAM的管脚数量是27x2=54,DDR的管脚数量为33X2=66。注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按

3、16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。SAMSUNG目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多,在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大,所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个15位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别,所以我们重点介绍这两部分的含义。编码规则:K4XXXXXXXX-XXXX主要含义:第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。第2位——芯片类型4,代表DRAM。第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、D代表DDR、G代表SGRAM。第4、5位——容量和刷新

4、速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。第6、7位——数据线引脚个数(代宽),08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。第11位--连线“-”,没有实际意义。第12、13位――为速度标志。第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为7ns;7B为7.5ns(CL=3);7C为7.5ns(CL=2);80为8ns;10为10ns(

5、66MHz)。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位)×16片/8bits=256MB(兆字节)。          图1三星颗粒(左边为采用TSOP封装DDR颗粒,右边为采用TSOP封装的SD颗粒)图3采用mBGA封装方式的DDR显存颗粒Hynix(Hyundai)现代韩国现代公司的显存,应该为大多数朋友熟悉了。目前全球排名第四位,它的产品线也是很丰富的,在内存中,

6、现代HY是物美价廉的代表。现代内存的含义:HY5DV641622AT-36HYXXXXXXXXXXXXXXXX1234567891011121、HY代表是现代的产品2、内存芯片类型:(57=SDRAM,5D=DDRSDRAM);3、工作电压:空白=5V,V=3.3V,U=2.5V4、芯片容量和刷新速率:16=16Mbits、4KRef;64=64Mbits、8KRef;65=64Mbits、4KRef;128=128Mbits、8KRef;129=128Mbits、4KRef;256=256Mbits、16KRef;257=256Mbits、8KRef5、代表芯片输出的数

7、据位宽:40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位6、BANK数量:1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系7、I/O界面:1:SSTL_3、2:SSTL_28、芯片内核版本:可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新9、代表功耗:L=低功耗芯片,空白=普通芯片10、内存芯片封装形式:JC=400milSOJ,TC=400milTSOP-Ⅱ,TD=13mmTSOP-Ⅱ,TG=16mmTSOP-Ⅱ11、工作速度:55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ

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