元器件筛选技术条件.pdf

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1、Q/SB中国航天科工集团第三研究院标准Q/SB310.1~.14A—2005代替Q/SB310.1~.14—2003元器件筛选技术条件2005-10-26发布2005-12-01实施中国航天科工集团第三研究院发布Q/SB310.1~.14A—2005目次前言..................................................................Ⅱ引言.........................................................................

2、..........Ⅲ元器件筛选技术条件第1部分:总则....................................................1元器件筛选技术条件第2部分:半导体二极管............................................8元器件筛选技术条件第3部分:特殊半导体二极管.......................................11元器件筛选技术条件第4部分:半导体三极管...........................................

3、14元器件筛选技术条件第5部分:场效应管、可控硅、光电耦合器..........................17元器件筛选技术条件第6部分:半导体集成电路.........................................20元器件筛选技术条件第7部分:混合集成电路...........................................22元器件筛选技术条件第8部分:电容器.................................................24元器件筛选技术条件第9部分:电位

4、器.................................................26元器件筛选技术条件第10部分:电阻器.................................................27元器件筛选技术条件第11部分:电感器.................................................28元器件筛选技术条件第12部分:继电器.................................................29元器件筛选技术条件第13

5、部分:石英谐振器.............................................32元器件筛选技术条件第14部分:晶体振荡器.............................................34IQ/SB310.1~.14A—2005前言Q/SB310.1~14A—2005《元器件筛选技术条件》分为十四个部分:——第1部分:总则;——第2部分:半导体二极管;——第3部分:特殊半导体二极管;——第4部分:半导体三极管;——第5部分:场效应管、可控硅、光电耦合器;——第6部分:半导体集成电路

6、;——第7部分:混合集成电路;——第8部分:电容器;——第9部分:电位器;——第10部分:电阻器;——第11部分:电感器;——第12部分:继电器;——第13部分:石英谐振器;——第14部分:晶体振荡器。本标准是对院Q/SB310.1~14—2003《元器件筛选技术条件》的进一步修订。本标准与Q/SB310.1~14—2003相比主要变化如下:——进一步细化了特殊半导体二极管的筛选条件;——增加了滤波器的筛选条件;——增加了接触器的筛选条件;——修改完善了部分元器件的高温反偏和老炼试验条件;——明确规定了需要生产厂家进行的筛选项目和筛选条

7、件。本标准由中国航天科工集团第三研究院质量技术部提出。本标准起草单位:元器件可靠性三院分中心。本标准主要起草人:肖景林、王向昱、杨春利、鲁宇、侯铁忠、王越、刘月晖、安文龙。IIQ/SB310.1~.14A—2005引言为了加大元器件筛选把关力度、减少型号研制过程中元器件的批次性质量问题,尽可能剔除早期失效品,保证上机后元器件的使用可靠性,在深入研究元器件筛选方面相关标准的基础上,对院标Q/SB310.1~14—2003《元器件筛选技术条件》再次修订。修订后的标准不仅是元器件可靠性三院分中心开展筛选工作的技术性标准,而且也是外协筛选单位、

8、元器件供货厂家和型号研制院外协作单位进行元器件筛选和质量控制的依据。本标准所规定的筛选内容是指型号用元器件所必需的筛选内容,元器件生产厂家出厂前所进行的筛选和分中心筛选相结合应能够覆盖本标准的要求,但不意味

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