快速熔断器与普通熔断器.doc

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1、整流和逆变：将交流电通过整流器变成直流电叫整流，将直流电通过逆变器变成交流电叫逆变。可控硅、MOSFET、IGBT、GTO有什么区别与联系可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。MOSFET和IGBT是电压控制器件，类似于场效应管，可通过栅极电压控制其导通和关断，开关速度高于GTO，由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高，后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。它们共同的作用就是可以用较小的电流（或电压）去控制较大的电流，同时都具有单向导电性，均可作为整流和逆变元件使

2、用，但相比之下，可控硅的应用范围相对狭窄，但因为这些器件中，可控硅是最廉价的，工艺成熟，可做成高压、大电流，所以在整流、大功率的同步逆变、调功等装置中还是有较大优势。IGBT与GTO、MOSFET器件相比在开关速度、耐压、驱动功率上有更优异的特性，所以被广泛应用在变频器、有源滤波和补偿、逆变等领域。变频器电源输入端加快速熔断器变频器是要将交流整流成直流的~我们平时设计的整流电路都必须在可控硅进线侧加熔断器~即变频器内部有熔断器。若变频器内部整流电路前没有保护硅器件的快速熔断器，变频器与电源之间应配置符合要求的熔断器和隔离开关，一般都是按电机额定电流

3、的1.5～2.5倍来选择熔断器。变频器电源输入端加快速熔断器用来对过电流作快速保护,避免负载短路等烧坏变频器本身注意：理论上，可控硅不耐大电流冲击（超负荷时温升很快），采用快速熔断器可以有效保护，但实际上快速熔断器的响应时间还不能符合可控硅的要求，设计时要考虑工作电流的富余量以及散热系统的富余量。快速熔断器和普通熔断器的区别从结构上来说，普通熔断体的熔丝是具有一定几何形状的金属丝构成；而快速熔断器的熔丝除了具有一定形状的金属丝外，还会在上面点上某种材质的焊点，其目的为了使熔丝在过载情况下迅速断开~从功能上来说，普通熔断体在适当的过载情况下会有一定的

4、允通时间，实际电流超过额定电流值越大熔断时间就越短，相反超过额定熔断电流越小，熔断时间就越长；而快速熔断器就突出“快”，也就是楼上说的灵敏度高，当电路电流一过载，熔丝在焊点的作用下，迅速发热，迅速断开熔丝，好的快速熔断体其效率相当高。快速熔断器是用来保护半导体设备普通熔断器是用来保护电线电缆保险丝也被称为熔断器：IEC127标准将它定义为“熔断体（fuse-link)”。它是一种安装在电路中，保证电路安全运行的电器元件。保险丝的作用是：当电路发生故障或异常时，伴随着电流不断升高，并且升高的电流有可能损坏电路中的某些重要器件或贵重器件，也有可能烧毁电

5、路甚至造成火灾。若电路中正确地安置了保险丝，那么，保险丝就会在电流异常升高到一定的高度和一定的时候，自身熔断切断电流，从而起到保护电路安全运行的作用。熔断器是一种简单而有效的保护电器。在电路中主要起短路保护作用。主要由熔体和安装熔体的绝缘管(绝缘座)组成。使用时，熔体串接于被保护的电路中，当电路发生短路故障时，熔体被瞬时熔断而分断电路，起到保护作用。常用的熔断器：插入式熔断器、螺旋式熔断器、封闭式熔断器、自复熔断器