瑞谷开关电源常用器件介绍-马元保ppt课件.ppt

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1、器件部--电子器件-----马元保瑞谷器件知识培训介绍器件培训总提纲RoHS5RoHS6REACH常规电源方块图一次电源常规电路图二次电源常用电路图瑞谷器件品牌电源常用器件类别安规器件磁性器件(附加)电源器件选型指导瑞谷器件优选库RoHS5RoHS6REACH我司原来称为RoHS5--G5,RoHS6--G6,不符合国际标称;RestrictionoftheUseofCertainHazardousSubstancesinElectricalandElectronicEquipment(RoHS)Directive,中文是电子电气设备中禁用特定有害物质的

2、指令,包括铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯(PBB’s)、多溴联苯醚(PBDE’s)。RoHS-6管控铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯(PBB’s)、多溴联苯醚(PBDE’s)六项有害物质;焊接:Maximumreflowtemperatureis245°C.RoHS-5管控汞、镉、六价铬、多溴联苯(PBB’s)、多溴联苯醚(PBDE’s)五项有害物质;焊接:Maximumreflowtemperatureis235°CREACH:“Registration,Evaluation,AuthorizationandRestrictionofChemicals,化学

3、品注册、评估、许可和限制”,是欧盟对进入其市场的所有化学品进行预防性管理的法规。将于2007年6月1日正式实施。我司器件承认管控RoHS6项,REACH15项常规电源方块图一次电源常规电路图二次电源常用电路图输入MOS管和拓扑有关:1、全桥半桥:,:100V2、有源钳位:150V3、正反激谐振复位:200V主控制芯片和拓扑有关:1、全桥,半桥,正反激:UCC28082、有源钳位:LM50253、谐振复位:MIC38C43输出MOS管和输出电压有关:1、1.2V~3.3V:30V2、5V:30V或40V3、12V:80V或100V4、15V以上:200V或

4、二极管瑞谷器件品牌电阻(01)SMDKOAYAGEOWalsin,(MurataSTEEpcos)禁用:1812DIPKOA/四川永星热敏为勤兴勤时恒压敏为勤兴勤EPCOS松田电容(04)SMD陶瓷YAGEOWalsinTDKMurata钽KEMETAVX电解RubyconNCC,LelonSamxon禁用:CAPXON稳压管(05)LRC,ON(GS,VISHAY,ZETEX,PHILPS)禁用:PANJIT,二极管(05)ON,IR,ST,IXYS,LITEON整流桥(05)Vishay,LRCShindengen,GS三极管(06)ON,PHILP

5、S,LRC,FAIRCHILD,INFINEONMOSFET(06)INFINEON/IR/FAIRCHILD/ST/VISHAY禁选IPSPWMIC(07)TISTONNSSIPEX,INTERSILPFCIC(07)TION(2854,3854,3818,MC33368)光藕COSMO,NEC,LITEON,TOSHIBA/EVERLIGHT/SHARP基准源TIZETEXLRCBCD运放ON,TI,ST,NS,MICRE其他ICTI/ON/FAIR/PHI/WINBOND/ATMEL/MICROCHIP保险管(14)littlefuseholly贝

6、特ZTE风扇(21)Delta,AVC,adda,zte,Magic开关(22)PRONIC,百容,圆达,达威,乐瓷继电器(31)TYCO,良信,松川,ZTE,OEG,panasonic蜂鸣器(33)鹏飞,佳讯,华兴电源常用器件类别IC:PWM/PFC/基准源/运放/比较器/光耦/单片机等MOSFET/IGBT/可控硅二极体:普通二极管/TVS管/肖特基管/SIC/整流桥三极管:NPN/PNP电容:电解电容/CL/CBB/陶瓷/钽电容电阻:MF/MOF/CF/WIRE/贴片/热敏/压敏其他器件:保险管/空气开关/继电器/放电管/电池电源常用器件类别—IC

7、(1)PWMIC:UC2843BD1UC3843BD1PFCIC:L4981FAN7530UC3854BN基准源:LR431ATL431LM4041C运放器:LM324DKA358LM2904OPA244比较器:KA339LM393NLM2903M光耦:PS2801PS2701LTV817LTV-357T其他IC:PIC12F675ATMEGA32-16等电源常用器件类别—IC(2)IC常用封装知识(插件)电源常用器件类别—IC(3)IC常用封装知识(贴片)SOP-16SOT-89TSSOP-20SOP-8TSOP6SOT-23SC-70SOT-23-5

8、Micro8Time199520002005电源常用器件类别—IC(4)IC解剖

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