元件静电敏感度.pdf

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1、元件静电敏感度元器件静电敏感度等级静电敏感器件静电敏感度静电敏感度等级特一级特二级一级二级三级500V-静电耐受能力0V-500V1000V1000V-2000V2000V-4000V4000V-8000V器件、光发送接CMOS集成二极管、三极阻容器件、开代表器件GaAsTTL集成电路受器件、电路管、继电器关、变压器管芯一般规定，静电损伤电压不小于16000V的为静电不敏感器件，小于16000V的为静电敏感器件。静电敏感度分级：1级：不大于1999V2级：2000～3999V3级：4000～15999VESDS产品及其组件应有ESD保护电路，

2、其最低要求应耐ESD电压值为：组件：不低于2000V产品：不低于4000V电子元器件静电敏感度的分级：1级（≤1999V）ESDS元器件a．微波器件（萧特基二极管，点接触二极管和f>1GHZ的检波二极管）；b．MOS场效应晶体管（MOSFET）；c．结型场效应晶体管（JFET）；d．声表面波器件（SAW）；专业文档供参考，如有帮助请下载。e．电荷藕合器件（CCD）；f．精密稳压二极管（线性或负载电压调整率小于0.5％）；g．运算放大器（OPAMP）；h．集成电路（IC）；i．混合电路（由1级ESDS元器件组成）；j．特高速集成电路（VHSIC

3、）；k．薄膜电阻器l．可控硅整流器（Pt≤100mW，Ic<100mA）。2级（2000～3999V）ESDS器件：a．MOS场效应晶体管；b．结型场效应晶体管；c．运算放大器；d．集成电路；e．特高速效应晶体管；f．精密电阻网络（RZ型）；g．混合电路（2级ESDS元器件组成）；h．低功率双极型晶体管（Pt≤100mW，Ic<100mA）。3级（4000～15999V）ESDS元器件：a．MOS场效应晶体管；b．结型场效应晶体管；c．运算放大器；d．集成电路；e．特高速集成电路；f．ESDS1级或2级不包括的所有其他电子元器件；专业文档供参

4、考，如有帮助请下载。g．小信号二极管（P<1W，I<1A）；h．一般硅整流器；i．可控硅整流器（I>0.175A）；j．小功率双极型晶体管（350mW

5、业文档供参考，如有帮助请下载。