《掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算规程》

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1、《掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算规程》编制说明一工作简况：1.标准简况：本标准是对GB/T13389-1992《掺硼、掺磷、硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算规程》的修订。2.任务来源：根据全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会半材标委字[]号文件,关于下达第批半导体材料国家标准(修)制订计划的通知,由有研半导体材料股份有限公司为主，四川新光硅业科技有限责任公司、中国计量科学研究院、万向硅峰电子股份有限公司、杭州海纳半导体有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司等共同参加完成项目编号为20110432-T-469的国家标准《掺硼、掺磷、掺砷硅单晶

2、电阻率与掺杂剂浓度的换算规程》简称（电阻率换算规程）的修定工作。3.主要工作过程：3.1了解硅单晶的掺杂剂使用情况。原国家标准修订于1992年，20年来随着重掺杂工艺的发展，越来越多的重掺单晶进入市场。除了硼、磷之外，掺砷、掺梯甚至掺红磷的单晶工艺已经成熟。3.2对SEMIMF723的内容充分进行理解。3.3编制《掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算规程》的国家标准修订标准征求意见稿，广泛征求意见。3.4并于2012年5月苏州会议上、2012年9月新疆会议上分别进行讨论和预审。4.本标准的主要起草人：孙燕高级工程师梁洪高级工程师高英高级工程师楼春兰高级工程师

3、王飞尧高级工程师张静工程师曹孜高级工程师鲁进军工程师何良恩工程师张海英工程师3张群社高级工程师二本标准的编制依据及编制原则：1.本标准按照GB/T1.1-2009和GB/T20000.2-2009的要求进行编制。2.本标准是在对SEMIMF723《掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算规程》国际先进标准的充分理解、消化吸收和实践的基础上，对原有的国家标准进行修订。本标准内容完全涵盖SEMIMF723，标准采用了国标的格式。3.与原标准相比，本次修订主要有如下变化：3.1增加了砷掺杂剂对电阻率的换算关系；3.2增加了掺硼硅单晶的电阻率换算空穴浓度和掺磷硅单晶电阻

4、率换算电子浓度的关系式；3.3.明确了磷掺杂剂的换算可用于锑掺杂剂；3.4将原标准附录中的干扰因素移至标准中并重新整理、和添加了若干条；3.5增加了各种掺杂剂的电阻率与掺杂剂浓度换算的公式试验依据及说明、相应的参考文献见附录；3.6修订了精密度。三标准水平分析本标准建议为国际先进水平。四与有关的现行法律、法规和强制性国家标准的关系本标准与现行法律、法规、与现行的强制性国家标准不存在任何冲突。五重大分歧意见的处理经过和依据本标准在修订、讨论、预审过程中无重大分歧意见。需要说明的是，我们在编制表1-表4的表头时发现原标准中表头存在歧义，例如：“表1掺硼硅单晶掺杂剂浓度对电

5、阻率的换算表”，有人理解是已知掺杂剂浓度，根据公式计算得到电阻率，而实际上是已知电阻率，计算得到掺杂剂浓度，其他表头也有相同的问题。因此我们认为原标准表头的文字上存在歧义，这次进行了修改，改为”表x掺硼硅单晶从掺杂剂浓度换算电阻率”,避免引起误解。六标准作为强制性或推荐性标准的建议建议本标准为推荐性的国家标准。3七废止现行有关标准的建议本标准颁布实施后将替代GB/T13387-92，旧标准作废。八预期效果原国家标准修订于1992年，20年来随着硅行业的飞速发展，特别是重掺杂工艺的发展，越来越多的重掺单晶进入市场。除了硼、磷之外，掺砷、掺梯甚至掺红磷的单晶工艺已经成熟。

6、修订前的标准只有硼、磷电阻率和掺杂剂浓度间的转换，修订后的标准涵盖了目前所有IC衬底的单晶掺杂剂范围。并将其扩展到电阻率与空穴、电子浓度的换算。作为硅单晶体内导电能力的描述，电阻率和掺杂剂浓度是两个不同的指标，可以由不同的方法测试得到，而它们之间又是密切相关的参数。如何简便的实现两者间的转换在实际生产中经常面临的问题。由于两者间的转换主要依据试验的经验公式，因此各种掺杂剂和电阻率之间的转换有的有共同的地方，有些又有区别。因此掌握和了解各种曲线、图表的适用范围和影响因素尤其显得重要。本标准是硅单晶行业的基础性标准，也是生产、科研中应用广泛和非常实用的标准。《掺硼、掺磷、

7、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算规程》国家标准编制小组2013.4.223