光电检测技术期末试卷试题大全

光电检测技术期末试卷试题大全

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时间:2018-01-27

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1、1、光电器件的基本参数特性有哪些?(响应特性噪声特性量子效率线性度工作温度)@响应特性分为电压响应度电流响应度光谱响应度积分响应度响应时间频率响应@噪声分类:热噪声散粒噪声产生-复合噪声1/f噪声信噪比S/N噪声等效功率NEP2、光电信息技术是以什么为基础,以什么为主体,研究和发展光电信息的形成、传输、接收、变换、处理和应用。(光电子学光电子器件)3、光电检测系统通常由哪三部分组成(光学变换光电变换电路处理)4、光电效应包括哪些外光电效应和内光电效应)外光电效应:物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物。内光电效应:物体受到光照后所产生的

2、光电子只在物质内部而不会逸出物体外部——多发生在半导体。内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。光电导效应:半导体受光照后,内部产生光生载流子,使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象。光生伏特效应:光照在半导体PN结或金属—半导体接触面上时,会在PN结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势。5、光电池是根据什么效应制成的将光能转换成电能的器件,按用途可分为哪几种?(光生伏特效应太阳能光电池和测量光电池)6、激光的定义,产生激光的必要条件有什么?(定义:激光是受激辐射的光放大粒子数反转光泵谐振腔)7、热释电器件必须在什么样的信号的作用下才会有电信

3、号输出?(交变辐射)8、CCD是一种电荷耦合器件,CCD的突出特点是以什么作为信号,CCD的基本功能是什么?(电荷CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。)9根据检查原理,光电检测的方法有哪四种。(直接作用法差动测量法补偿测量法脉冲测量法)10、光热效应应包括哪三种。(热释电效应辐射热计效应温差电效应)11、一般PSD分为两类,一维PSD和二维PSD,他们各自用途是什么?(一维PSD主要用来测量光点在一维方向的位置;二维PSD用来测定光点在平面上的坐标。)12、真空光电器件是基于什么效应的光电探测器,它的结构特点是有一个真空管,其他元件都在真空管中

4、,真空光电器件包括哪两类。(外光电效应光电管光电倍增管)二、名词解释1、响应度(响应度(或称灵敏度):是光电检测器输出信号与输入光功率之间关系的度量。)2、信噪比(是负载电阻上信号功率与噪声功率之比)3、光电效应(光电效应:光照射到物体表面上使物体的电学特性发生变化。)4、亮电流(光敏电阻两端加电压(直流或交流)。无光照时,阻值很大,电流(暗电流)很小;光照时,光生载流子迅速增加,阻值急剧减少,在外场作用下,光生载流子沿一定方向运动,形成亮电流。)5、光电信号的二值化处理(将光电信号转换成“0”或“1”数字量的过程称为光电信号的二值化处理。)6、亮态

5、前历效应(亮态前历效应是指光敏电阻测试或工作前处于亮态,当照度与工作时所要达到的照度不同时,所出现的一种滞后现象)7、热释电效应(在某些绝缘物质中,由于温度的变化引起极化状态改变的现象称为热释电效应)8、暗电流9、暗态前历效应暗态前历效应是指光敏电阻测试或工作前处于暗态,当它突然受到光照后表现为暗态前历越长,光电流上升越慢。三、简答1、雪崩光电二极管的工作原理(当光敏二极管的PN结上加相当大的反向偏压(100~200V)时,在结区产生一个很强的电场,使进入场区的光生载流子获得足够的能量,在与原子碰撞时可使原子电离,而产生新的电子—空穴对。只要电场足够

6、强,此过程就将继续下去,使PN结内电流急剧增加,达到载流子的雪崩倍增,这种现象称为雪崩倍增效应。)2、光生伏特效应与光电导效应的区别和联系?(共性:同属于内光电效应。区别:光生伏特效应是少数载流子导电的光电效应,而光电导效应是多数载流子导电的光电效应。)3、什么是敏感器?敏感器与传感器的区别和联系?(将被测非电量转换为可用非电量的器件。共性:对被测非电量进行转换。区别:敏感器是把被测量转换为可用非电量,传感器是把被测非电量转换为电量)4、发光二极管的工作原理。(在PN结附近,N型材料中的多数载流子是电子,P型材料中的多数载流子是空穴,PN结上未加电压

7、时构成一定的势垒,当加上正向偏压时,在外电场作用下,P区的空穴和N区的电子就向对方扩散运动,构成少数载流子的注入,从而在PN结附近产生导带电子和价带空穴的复合。一个电子和一个空穴对每一次复合,将释放出与材料性质有关的一定复合能量,这个能量会以热能、光能、或部分热能和部分光能的形式辐射出来。5、说明电子器件与热电器件的特点。光子器件热电器件响应波长有选择性,一般有截止波长,超过该波长,器件无响应。响应波长无选择性,对可见光到远红外的各种波长的辐射同样敏感响应快,吸收辐射产生信号需要的时间短,一般为纳秒到几百微秒响应慢,一般为几毫秒3、PIN型的光电二极

8、管的结构、工作原理及特点(它的结构分三层,即P型半导体和N型半导体之间夹着较厚的本征半导体I层,它是用高阻N

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