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时间:2019-06-01
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1、ACT30系列IC独立控制器及其应用1ACT30的反偏安全工作区 在小功率电池充电器、电源适配器及开关电源中,广泛采用RCC变换器,其基本电路如图l所示。 这种RCC电路由于是基极激励,其安全工作电压受BVceo的限制。但是,如果采用了ACT30系列独立控制器,接在普通NPN型开关晶体管的射极,或N沟道MOSFET的源极。如图2所示,采取射极激励的方式。就可大大改善NPN型晶体管的安全工作范围。 图3为NPN反偏安全工作区。我们知道,通常BVcbo>BVceo,图中的安全工作电压由Vceo扩大到Vcbo。这样,对于交流265V
2、的电网电压,就可采用普通的NPN型功率开关晶体管。ACT30系列独立控制器还具有输出短路保护、过流保护和欠压保护等功能。下面对IC器件及其实用电路作一详细介绍。 2ACT30的外形引脚及内部功能 1)ACT30的外形和引脚 ACT30系列IC有两种封装形式:TO一92(见图4a)币NSOT23—5(见图4b)。 2)ACT30的引脚功能 ACT30的引脚排列见表1。 3)ACT30内部功能 图5为ACT30的功能方框图。主要包括:开关控制逻辑、两个带有并联电流检测的接通芯片中间电压驱动MOSFET、驱动器、振荡器斜坡产
3、生器、电流限制VC发生器、误差比较器、打嗝控制偏置、欠压锁定和调压电路。 从图5看出,该IC有6个内部端子,VDD是电源供电端,DRVl和DRV2是线性驱动输出,可以驱动外接NPN高压晶体管或N沟道MOSFET管的射极。这种射极驱动方式,可充分利用晶体管的BVcbo高的优点。可采用低成本的晶体管,如W13003D(BVcbo=700V)或W13003(BVcbo=600V)适用输入电压变化较宽的场合。转换速度限制的驱动和外接NPN晶体管的截止特性一起可使EMI降低。驱动峰值电流(相对于供电电压VDD)设定有负压系数,这样,较低的供
4、电电压,会自动引导出较高的DRVl峰值电流,这种方式,当供电电压降低时,光耦器可以直接控制VDD去影响驱动电流增加。 4)ACT30的启动时序 图2表明一个简化的应用电路。开始,微小电流通过电阻R1给电容C1充电,晶体管作为射极跟随器,使DRVl电压也随之升高,内部调节器产生VDD电压使VDRl为3.6V(对于ACl730A/C)或4.6V(对于ACT30B/D)。不过,VDD不超过5.5V。当VDD达到5V时,该调节器电源的作用停止,VDD开始下降(由于有电流消耗),当VDD电压降到低于4.75V时,光耦反馈电路阻止VDD进一
5、步下降。这种转换作用也允许反馈绕组接替C1电容去供电。图6为ATC30的典型启动次序波形图。为了限制反馈电压,图2中的VD1用12V稳压管(对于ACT30A/C)或者13V稳压管(对于ACT30B/D)。 由于启动电流很小,可以把启动电阻R1加大到2MΩ。实际的R1值应按待机损耗和启动时间延迟两者兼顾考虑。 在正常工作时,来自变压器次级侧的反馈信号,通过光耦转换成电流信号注入VDD脚。VDD脚的动态电阻为9kΩ。综合的VDD电压影响IC的转换。从功能方框图看出,电流限制VC产生器利用VDD电压和基准电压4.75V之间的差,在误差
6、放大器的负输入端上产生一个成比例的偏差电压。在每次开关周期开始点,该驱动器接通。当初级的电流增加时,电流检测电阻电流(是变压器初级电流的一部分)也随时增加。当电流检测电阻上的电压加上振荡器斜坡信号,等于误差比较器负的输入电压时,该驱动器就关断。DRVl峰值电流具有负电压系数,为一0.29A/V。 当输出电压小于调节器电压,VDD脚上的电流就是零。并且VDD电压下降,在VDD=VUV=3.35V,DRV1峰值电流最大为400mA。VDD电压低时,驱动电流IDRV1最大,输出升到调整点,超过此点,光耦又动作,来阻止VDD下降。 5)
7、极限电流的调节 该IC专有的驱动安排,允许电流极限值在400mA及1.2A之间调节。 为了理解这点,该驱动器必须按线性电阻器件来使用。典型的电阻值为3.6Ω(而不是按数字输出开关用)。电流极限值则可通过图7所示的线性组合来计算。对于TO一92封装ACT30A/C,均能设定到400mA极限值,而ACT30B/D被设定为800mA极限值。对于ACT30E(SOT23—5)包封,提供DVRl和DVR2两个端子。 6)脉冲频率跳变 PFWM开关控制逻辑单元是依据输出负载电流大小按不同的模式工作的。在轻载下,VDD电压约为4.75V。
8、由每个开关周期(最小导通时间为500ns)传输到输出端的能量,引起VDD稍微增加到高于4.75V,PFWM开关控制逻辑单元框能够检测出这种状态,并阻止VDD低于4.75V。这就导致在脉冲宽度固定而频率可变的情况下,产生一种脉冲频率跳跃
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