磁控溅射法制备cds薄膜及性能表征.doc

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1、磁控溅射法制备CdS薄膜及性能表征密级公开学号101554毕业设计（论文）磁控溅射法制备CdS薄膜及性能表征院（系、部）：材料科学与工程学院姓名：于宇新年级：2010专业：材料科学与工程指导教师：曾冬梅教师职称：讲师2014年月日·北京VII磁控溅射法制备CdS薄膜及性能表征北京石油化工学院毕业设计（论文）任务书学院（系、部）材料科学与工程学院专业材料科学与工程班级材101学生姓名于宇新指导教师/职称曾冬梅/讲师1.毕业设计（论文）题目磁控溅射法制备CdS薄膜及性能表征2.任务起止日期：2014年2月16日至2014年月日3.毕业设计（论文）的主要内容与要

2、求（含课题简介、任务与要求、预期培养目标、原始数据及应提交的成果）硫化镉(英文caudmimsulfide)分子式CdS，分子量144.46，是一种N型光电导半导体材料。属Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，其禁带宽度为2.42eV，非常适合作为异质结薄膜太阳能电池的窗口材料。同时由于CdS薄膜易于制作、成本低廉，使其成为太阳能电池研究中的热点。硫化镉（CdS）因其具有较深的价带能级和一些特殊的电化学性能，因此被广泛应用于光催化太阳能电池窗口层材料。制备CdS薄膜的方法很多，如真空蒸发法、磁控溅射法、化学水浴法（CBD法）、喷涂热解法、电沉积法、丝网印刷法、MOCVD法

3、、Sol-gel法等。磁控溅射可以被认为是镀膜技术中最突出的成就之一。它以溅射率高、基片温升低、膜-基结合力好、装置性能稳定、操作控制方便等优点,成为镀膜工业应用领域(特别是建筑镀膜玻璃、透明导电膜玻璃、柔性基材卷绕镀等对大面积的均匀性有特别苛刻要求的连续镀膜场合)的首选方案。VII磁控溅射法制备CdS薄膜及性能表征通过本课题的研究，培养学生查找、收集文献资料的能力，了解如何进行文献调研，并学会总结、概括，完成文献综述的撰写。提高学生科技论文阅读和翻译的能力，准确翻译一篇外文文献；锻炼学生的动手能力，学会操作和使用实验仪器设备；使学生了解材料相结构、组织形

4、貌、光电性能的检测原理，掌握基础的分析检测技术；培养学生利用计算机绘图、处理数据的能力，对相应的实验数据进行处理；培养学生独立分析问题和解决问题的能力。预期培养目标：通过毕业设计的训练，使同学掌握科学研究的思路和方法，为以后从事材料科学研究工作打下基础；为太阳能电池的光学性能优化和理论研究做好准备。最终提交材料：文献综述、文献翻译及原文、毕业论文。4.主要参考文献[1]MoualkiaH,HariechS,AidaMS.ThinSolidFilms,2009,518:1259.[2]俞秋蒙.薄膜太阳能电池窗口层材料的应用与发展[J].科技致富向导，2011

5、年，12期：15-48[3]常笑薇.CdS薄膜及其太阳能电池的制备和性质研究[D]：[硕士学位论文].北京交通大学，2006年[4]赵嘉学，童洪辉.磁控溅射原理的深入探讨[J].真空，2004年，41卷（04期）：74-79[10]董骐，范毓殿.非平衡磁控溅射及其应用[J].真空科学与技术，1996年，16卷（01期）:51-57[5]黎兵，蔡亚平，朱居木等人．CdS多晶薄膜的制备及其性能的研究．四川大学学报．1999．36(3)．497—500[6]J．N．Ximello-Quiebras，G．Contreras-Ptmnte，J．Aguilar-Hem

6、andez,eta1．PhysicalpropertiesofchemicalbathdepositedCdSthinfilms．Sol矗EnergyMaterials&SolarCells．2004．82(1-2)．263-268[7]徐万劲.磁控溅射技术进展及应用(上)[J].现代仪器,2005,(5):1-5.5.进度计划及指导安排(1)2014.2.17－2014.2.23中英文文献查找、搜集(2)2014.2.24－2014.3.14翻译英文文献，撰写开题报告，开题答辩(3)2014.3.17－2014.5.2工艺摸索、样品制备VII磁控溅射法制

7、备CdS薄膜及性能表征(4)2014.5.5－2014.5.16用紫外－可见分光光度计测量薄膜透光率，用XRD对薄膜的结构进行分析，用原子力显微镜对薄膜形貌进行分析。(5)2014.5.19－2014.5.23对实验数据进行分析处理(6)2014.5.26－2014.5.30整理实验结果完成论文(7)2014.5.31－2014.6.6修改论文、评阅、答辩任务书审定日期年月日系（教研室）主任（签字）任务书批准日期年月日教学院（系、部）院长（签字）任务书下达日期年月日指导教师（签字）计划完成任务日期年月日学生（签字）VII磁控溅射法制备CdS薄膜及性能表征摘

8、要硫化镉，分子式CdS，是一种N型光电导半导体材料。CdS是一种非