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1、一、太阳电池相关词汇2_)r/M1x5H'u7h太阳电池solarcell3B$Q8P6?0s;c3h5t)e&u7X将太阳辐射能直接转换成电能的器件9L,G!s"r+`8J1i;_9}#z#L&m%~4B2Z4r"G(:~3E单晶硅太阳电池&h.E)G4F4d,Y8
2、6f2s8H9@9_ wsinglecrystallinesiliconsolarcell9L8Z#b%g7~3i以单晶硅为基体材料的太阳电池%r7d:P:N#v%L$f(p.`-^9g1a%N"M多晶硅太阳电池'R D+J.o7w&U2^#F+h#s+emulticrys
3、tallinesiliconsolarcell.V8v'j D4F"y6_2?21g以多晶硅为基体材料的太阳电池#V)
4、,w(}9D!q&I-o6B4
5、6C0s;R/
6、非晶硅太阳电池*L'z*o(t3famorphoussiliconsolarcell9t(H.B'w+h+Z&_用非晶硅材料及其合金制造的太阳电池。'z&j*l-d3m(B/F+x.V$M!i!p%x-v薄膜太能能电池"K'S#z$p&u9z'X0{!C$G.[Thin-filmsolarcell8f,j4c7a7}用硅、硫化镉、砷化镓等薄膜为基体材料的太阳电池。这些薄膜通常
7、用辉光放电、化学气相淀积、溅射、真空蒸镀等方法制得。0Q6F0K'H2@7d9V1
8、!V"b'p"i+y&D4K多结太阳电池multijunctionsolarcell9l-H8H)L.z;l%
9、由多个p‐n结形成的太阳电池。8R'F2F/d"`0m/A;
10、-H化合物半导体太阳电池compoundsemiconductorsolarcell%B(V'r-B3G4^1
11、3s4^用化合物半导体材料制成的太阳电池5S%V!c;x({:T*x+t带硅太阳电池siliconribbonsolarcell/V%C3O1{#S"V用带状硅制造的太阳电池5k1
12、
13、*A,X d)y:Z;@-k3J:A1`光电子photo-electron4D4e0y(I(k3O/N#c0b.y由光电效应产生的电子。/O!x1j(D4Z(
14、太阳电池的伏安特性曲线%Q7h2e&P'_&~3gI-Vcharacteristiccurveofsolarcell3u"t#u5z/H受光照的太阳电池，在一定的辐照度和温度以及不同的外电路负载下，流入的电流I和电池端电压V的关系曲线。$g3P%G,D&e!x.U'B Y4R2R,b)R短路电流short-circuitcurrent（Isc）.q*Y8m1s:l+A&A+y在一定
15、的温度和辐照度条件下，光伏发电器在端电压为零时的输出电流。$S,O/H G/i开路电压open-circuitvoltage（Voc）1I#o%T D(z3H J在一定的温度和辐照度条件下，光伏发电器在空载（开路）情况下的端电压。,i.]+e6C5d.m最大功率maximumpower(Pm)8a&{8T K-N&k,Z.b6c5s-R在太阳电池的伏安特性曲线上，电流电压乘积的最大值。)A;F3J/Y-h4{,
16、最大功率点maximumpowerpoint(W"J7`2r9f.I$u在太阳电池的伏安特性曲线上对应最大功率的点，亦称最佳工
17、作点。(q&f5U9x*l'@&h3?/^7h最佳工作点电压optimumoperatingvoltage(Vn)5N"_(h6K/Y9L(W!d太阳电池伏安特性曲线上最大功率点所对应的电压。(z0P7t'H8n!_6V7r;T.`&[最佳工作点电流optimumoperatingcurrent(In)2b0d/?+@9S,Q'c太阳电池伏安特性曲线上最大功率点所对应的电流。)~)M8X8U5p-G)Q填充因子fillfactor(curvefactor)9h5M;K!U0q+S*S%f3s&l(o太阳电池略去串联电阻和并联电阻之后，最大功率与
18、开路电压和短路电流乘积之8D1J4} ` R,l*i+f比。评估太阳电池负载能力的重要参数。FF=(Im×Vm)/(Isc×Voc)9I0Z.h7p.S0k'p;N1n6h%W其中：Isc—短路电流，Voc—开路电压，Im—最佳工作电流，Vm—最佳工作电压；4`8@(P-I%}"v0i7s-O,u曲线修正系数curvecorrectioncoefficient(` M.z9R/s测试太阳电池电池时，由于温度的不同而引起伏安特性曲线的变化，修正此项变化的系数称曲线修正系数。+x C4a/g*y8f.t!B#
19、/r太阳电池温度solarce
20、lltemperature&G-?)i/^4?8b*~3R0x太阳电池中势垒区的温度。3u'9v#k P1T1A1v x*W串联电阻series
