模拟电子技术基础习题与解答3

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1、第三章场效应管放大电路一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。（1）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（）（2）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（）二、选择正确答案填入空内。（1）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管（2）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将。A.增大B.不变C.减小2.20改正图P2.20所示各电路中的错误，使

2、它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共源接法。图P2.20解：（a）源极加电阻RS。（b）漏极加电阻RD。（c）输入端加耦合电容。（d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD改正电路如解图P2.20所示。解图P2.202.20已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(c)所示。（1）利用图解法求解Q点；（2）利用等效电路法求解、Ri和Ro。图P2.21解：（1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。如解图

3、P2.21（a）所示。解图P2.21在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V。如解图P2.21（b）所示。（2）首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。2.22已知图P2.22（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。求解电路的Q点和。图P2.22解：（1）求Q点：根据电路图可知，UGSQ＝VGG＝3V。从转移特性查得，当UGSQ＝3V时的漏极电流IDQ＝1mA因此管压降UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V。（2）求电压放大

4、倍数：2.23电路如图P.23所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出、Ri和Ro的表达式。图P2.23解：、Ri和Ro的表达式分别为