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时间:2018-12-06
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1、三星搞事情三星S8继华为P10之后被曝“闪存混用门” 虽然三星S8已经发布多时,国外也早已开售,但国行并没有能够同步上市,正式的发布会被安排在了5月18日,真正能够买到的话,也是5月底的事情了。然而树欲静而风不止,这款还未在国内上市的三星上半年旗舰,也被人扒出了混用两种规格闪存的事情。 S8与S8+ 事件起源于XDA论坛,一位用户怀疑S8量产机所使用的闪存规格有所差异,于是便放出了测试方法,号召其他用户一起来进行闪存测试并且进行记录。结果也不出所料,S8和S8+混用了UFS2.0与2.1两种规格的闪存芯片。 XDA论坛用户调查结果 据统计结果显示,在
2、参与测试的180名用户中,骁龙835版本里两种闪存混用的概率是一比一,而Exynos8895版本中UFS2.1闪存则占据绝对主流,只有4名参与调查的用户抽中了8895+UFS2.0搭配的版本。 UFS2.1连续读取性能 UFS2.0与2.1之间有多大差异呢?其实即使同为2.0版本的UFS闪存,不同批次之间也存在着技术代差,S6时期的UFS2.0仅能做到300MB/S左右的连续读取速度,而S8上的UFS2.0连续读取速度在500-600MB/S,UFS2.1则能够达到700MB/S以上,实际上的理论性能差别大概在20%左右。 而华为P10所混用的EMMC5.1
3、芯片仅能做到200-300MB/S的连续读取,理论性能只有UFS2.1的三分之一,成本也远低于UFS;也就是说这两件事情之间,存在本质的差别。 厂商员工微博互怼 面对如潮水而来的质疑,三星的工作人员在微博站出来回应:所有国行三星S8与S8+都将采用UFS2.1规格的闪存芯片,并称三星没有能够将EMMC优化成UFS2.1的“黑科技”;其言论所指为谁,想必大家心中都已经十分清楚了。
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