中国首批32层3D NAND闪存芯片即将量产.doc

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1、中国首批32层3DNAND闪存芯片即将量产　　昨日长江存储正式公开了其突破性技术——XtackingTM。据悉，该技术将为3DNAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。同时，该技术可应用于智能手机、个人计算、数据中心和企业应用等领域，并将开启高性能、定制化NAND解决方案的全新篇章。　　　　目前，长江存储已成功将XtackingTM技术应用于其第二代3DNAND产品的开发，该产品预计于2019年进入量产阶段。　　据长江存储介绍，采用XtackingTM，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样

2、的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的XtackingTM技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(VerticalInterconnectAccesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。　　传统3DNAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%，降低了芯片的存储密度。随着3DNAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。XtackingTM技术将外围电路置于存

3、储单元之上，从而实现比传统3DNAND更高的存储密度。　　XtackingTM技术充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3DNAND产品的上市时间。此外，这种模块化的方式也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了可能。　　闪存和固态硬盘领域的知名市场研究公司ForwardInsights创始人兼首席分析师GregoryWong认为，随着3DNAND更新换代，在单颗NAND芯片存储容量大幅提升后，要维持或提升相同容量SSD的性能将会越

4、来越困难。若要推动SSD性能继续提升，更快的NANDI/O速度及多plane并行操作功能将是必须的。　　此外，长江存储CEO杨士宁博士表示，目前，世界上最快的3DNANDI/O速度的目标值是1.4Gbps，而大多数NAND供应商仅能供应1.0Gbps或更低的速度。利用XtackingTM技术有望大幅提升NANDI/O速度到3.0Gbps，与DRAMDDR4的I/O速度相当。这对NAND行业来讲将是颠覆性的。　　值得一提的是，紫光集团联席总裁刁石京近日透露，中国首批拥有自主知识产权的32层3DNAND闪存芯片将于今年第四季度实现量产。同时，刁石京介绍，目前，

5、芯片生产设备正在进行安装调试，今年第四季度，32层3DNAND闪存芯片将在一号芯片生产厂房进行量产。　　据悉，长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片，并获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。　　这颗芯片，耗资10亿美元，由1000人团队历时2年自主研发，是中国主流芯片中研发制造水平最接近世界一流的高端存储芯片，实现了中国存储芯片“零”的突破。　　此外，64层3DNAND闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行，计划2019年实现量产。