实验六 半导体发光器件的电致发光测量

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1、实验六半导体发光器件的电致发光测量081190088杨静一.实验内容与目的(1)了解半导体发光材料电致发光的基本概念。(2)了解并掌握半导体显微探针测试台、光纤光谱仪的使用。(3)掌握半导体发光材料电致发光特性的测量方法。二.实验原理概述1.辐射跃迁半导体材料受到某种激发时,电子产生由低能级向高能级的跃迁,形成非平衡载流子。这种处于激发态的电子在半导体中运动一段时间后,又回到较低的能量状态,并发生电子—空穴对的复合。复合过程中,电子以不同的形式释放出多余的能量。如跃迁过程伴随着放出光子,这种跃迁成为辐射跃迁。作为半导体发光材料,必须是辐

2、射跃迁占优势。导带的电子跃迁到价带,与价带空穴相复合,伴随的光子发射,称为本征跃迁。显然这种带与带之间的电子跃迁所引起的发光过程,是本征吸收的逆过程。对于直接带隙半导体,导带与价带极值都在k空间原点,本征跃迁为直接跃迁。由于直接跃迁的发光过程只涉及一个电子—空穴对和一个光子,其辐射效率较高。间接带隙半导体中,导带与价带极值对应于不同的波矢k,这时发生的带与带之间的跃迁是间接跃迁。在间接跃迁过程中,除了发射光子外,还有声子参与。因此,这种跃迁比直接跃迁的几率小的多,发光比较微弱。[键入文字]如果将杂质掺入半导体,则会在带隙中产生施主及受主

3、的能级,因此又可能产生不同的复合而发光。电子从导带跃迁到杂质能级,或杂质能级上的电子跃迁入价带,或电子在杂质能级间的跃迁都可以引起发光,这类跃迁称为非本征跃迁。间接带隙半导体本征跃迁几率较小,非本征跃迁起主要作用。施主与受主之间的跃迁效率较高,多数发光二极管属于这种跃迁机理。在施主—受主对的复合中,过剩电子、空穴先分别被电离的施主和受主看成点电荷,把晶体看作连续介质,施主与受主之间的库伦作用力使受基态能量增大,其增量与施主—受主杂质间距离r成正比,所发射的光子能量为:ην=E-(E+E)+式中E和E分别为施主和受主的电离能,ε是晶体的低

4、频介电常数。对简单的替位施主和受主杂质,r只能取一系列的不连续值,因此,施主—受主复合发光是一系列分离谱线,随着r的增大,成为一发射带。2.电致发光根据不同的激发过程,可以有各种发光过程,如:光致发光、阴极发光、电致发光等。半导体的电致发光(EL),也称场致发光,是由电流(电场)激发载流子,将电能直接转变成光能的过程。EL包括低场注入型发光和高场电致发光。前者是发光二极管(LED)和半导体激光器的基础。本实验只涉及这类EL谱的测量。[键入文字]发光二极管是通过电光转换实现发光的光电子器件,是主要的半导体发光器件之一,具有广泛的应用,如各

5、类显示、数据通讯等。特别是通过白色发光二极管实现固体照明,不仅可以节省能源、减少污染,而且体积小、寿命长,因此固态照明已被全世界重视。所有商用LED都具有P-N结结构,因此以P-N结的发光为例来说明注入发光机制。P型半导体是掺杂了受主杂质,而N型则是掺杂了施主杂质,将两种材料放在一起,即得到P-N结。N型半导体中产生电子,P型半导体中产生空穴,在其中间产生耗尽层。P-N结处于平衡时,存在一定的势垒区,场也相应地减弱。这样继续发生载流子的扩散,即电子由N区注入P区,同时空穴由P区注入到N区。进入P区的电子和进入N区的空穴都是非平衡少数载流

6、子。这些非平衡少数载流子不断与多数载流子复合而发光。如果采用异质结,发光效率可以得到显著的提高。由宽带隙半导体材料隔开的中间发光区,两种类型的过剩载流子从两侧注入并被限制在同一区域,过剩载流子数目显著提高。随着载流子浓度的提高,辐射寿命缩短,导致更为有效的辐射复合。如果中间有源区域减小到10nm或更小就形成量子阱,由于其厚度与德布罗意波长相近,量子力学效应出现,载流子状态密度变得更高,从而可以获得更高的发光效率。这是目前商用LED的实际结构。[键入文字]电致发光谱的测量系统的基本结构与光致发光测量装置类似,主要区别是用高温定度直流电源代

7、替了光致发光谱测量中所用的激发光源。针对半导体发光器件的电致发光的测量中,电源与发光器件的连接通常在探针测试台上进行,由金属微探针压在发光器件上预制的电击表面形成欧姆接触,使直流电源输出的电压和电流无损耗地加到被测器件上。本实验的光谱测量采用微型光纤光谱仪。这类光谱仪具有体积小、即插即用、检测速度快、配置灵活、操作方便等特点。USB接口的微型光纤光谱仪内置了先进的探测器和强大的高速电路系统,与扫描式单色仪相比,由于采用了线性探测器阵列,不需要转动光栅来工作,光栅永久固定,保证了性能的长期稳定,并能够实现高速检测,配合电子快门,全谱测量的

8、最短积分时间可达到数毫秒。三.实验方法与步骤实验仪器与材料手动式半导体显微探针测试台:1台探针座:2只探针:2根石英光纤(SMA905接头):1根卤钨灯光源(SMA905接头):1台高精度直流电源:1台微型

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