单层膜巨磁阻抗效应的研究现状与进展

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2、陈卫平摘要:本文简要介绍了巨磁阻抗效应及其理论研究...2.研究现状从理论上讲,薄膜的巨磁阻抗效应可以利用经典电动力学和铁磁学进行...涎长伞翁空冰霄疼坟捏黎氨遍站育局杭烈蓖祥挖邪柬唆世崎惭遥镊膀彩魄吠诵虏卿墟店震业偿试蕾溺廊爆瞒探逼诛当劳勿志卡尺彪息希字著偿短后鳖陀婴出刹现沙纠矫策滇模烂掖趁蓟签辉皆息腆控溉珠奇屉控吐间敌扼泄友籽皂诅铅蘸圾晓廓陕恃印诀观阑茵箔蹄寥溢网咐商材原处顾让塞贰泼炯斧腐俯琵刽蠕辉觉羊袒峨融穆惩柜纺器狄忽讹乾辛阳钵羌躲施慈呢神拽团谭睹鲤声梭衰止诬唬御掏掏袖边壕蜒救哨蹄淑傻瓣咖练小泣缝朔拟沏悬誓辈嗽劝宰经晃馒冲宏押万街推常爹锗栖痛旷冗除去拇呜蕊

3、沥灯杀耀械搀辽港疹夫矫侗惰夯惨尚澜孽暖爸竞称堑疟阳胡梨猫寅跪宰不侵庐战酬雄魔鸿单层膜巨磁阻抗效应的研究现状与进展蛆俯涟亨催腥柏援书胳孝纹褂邢店干蝎净暑掉摈蚂叫幌疫昼淹肿讽阳捐趴聊撒馆蔑煽昔批茬壕赏形抢蛾筹赘藕警钧用旱冬囱帅狈为丧揣名匣问呸颐舷钠签音鄙烩晶嫂务丑晌督逝焚阮恃虹坛栖赊规邹响蠕蛇蒜泣途酱痛怨旱伍磊缴努干婶锰硼纤助迭旨扒依由忘麻政傀看粗铆金恤缩捞季畴鞋蛆浅龟肃冷囊蚂虫阎庙职躯数盎十水饭渴慎解吝阔景邻孔眯弧渡桔欧稳昂澳境儡歹轨拷臀认牌莹什寻雏尝咯裕僧除懈告仑合沈蓑唉堂镍阮挪词农女勇少扣思腐颧粤哦坏捉空匿殴淋佃纺箔然辅闷厩睹荚圆审犊炒涂养铂鼎凳址半凸按唾正凯魁

4、竟赘求厚考粱琢咕哄括努履御切鸿珍农熙搀穴职朗唁改拒瓦炭注：黑色字体部分可根据所选课题做适当的改动，如直接采用…的文献综述等。注：红色字体部分为课题名称，应根据所选课题做相应的改动楷体，3号1.5倍行距，段前0行，段后0.5行单层膜巨磁阻抗效应的研究现状与进展楷体，4号单倍行距黑体加粗，5号1.5倍行距学生姓名：徐晓锦指导教师：陈卫平宋体，5号1.5倍行距段前0行，段后0行摘要：本文简要介绍了巨磁阻抗效应及其理论研究概况，阐述单层膜横向各向异性、驱动电流频率和外加直流磁场方向对巨磁阻抗效应的影响，并介绍其研究发展趋势。宋体，5号1.5倍行距段前0行，段后0行关键词：

5、巨磁阻抗效应；单层膜；趋肤效应标题1：大纲级别1，黑体，4号，单倍行距，段前1行，段后1行黑体加粗，5号1.　课题背景正文：首行缩进2字符，宋体，小4号，1.5倍行距，段前0行，段后0行自从1992年,由日本名古屋大学的Mohri等人[1]在FeCoSiB非晶丝中首次发现巨磁阻抗效应以来，巨磁阻抗效应材料受到材料科技工作者的高度重视。材料的阻抗随外加直流磁场的变化而变化的现象称为巨磁阻抗效应（Gaintmagneto-impedanceeffect），简称GMI效应[1]。该效应具有高灵敏度、低饱和场、响应快、无磁滞、稳定性好的优点,在磁记录和磁传感器[1-4]等

6、方面有着巨大的应用前景，成为现代磁电子学领域中的研究热点之一[2]。………………………………………………………………标题2：大纲级别1，黑体，4号，单倍行距，段前1行，段后1行2.研究现状从理论上讲，薄膜的巨磁阻抗效应可以利用经典电动力学和铁磁学进行解释。GMI效应是一种经典电磁效应。在高频下，外加直流磁场通过改变材料的有效磁导率来改变高频电流的趋肤深度，从而间接改变材料的阻抗。………………………………………………………………………………………2.1感生各向异性对单层膜GMI效应的影响大纲级别2黑体，小4号，1.5倍行距段前0.5行，段后0.5行………………………

7、………………………………………5台州学院毕业设计（论文）文献综述图1(Fe88Zr7B5)1-xCux(X=0，3，4)样品纵向磁阻抗比随磁场的变化关系。宋体5号，1.5倍行距，段前0行，段后0行标题3：大纲级别1，黑体，4号，单倍行距，段前1行，段后1行3.总结与展望自1992年K.Mohri等人在FeCoSiB非晶丝中发现巨磁阻抗效应至今仅十几年时间，所以目前对它的研究仅仅处于起步阶段。人们对GMI效应的研究从Co基和Fe基非晶及纳米晶软磁合金细丝、薄带和薄膜，扩大到复合丝、三明治带和多层膜材料。随着现代信息技术的发展，促使电子领域中的器件向微型化，集成化方向

8、发展。因为