纳为SiO2MMT改性有机硅压敏胶性能研究

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1、国内图书分类号：TQ436+．3理学硕士学位论文纳米Si02／MMT改性有机硅压敏胶性能研究硕士研究生：导师：申请学位级别：学科、专业：所在单位：答辩日期：授予学位单位：李颖张明艳理学硕士高分子化学与物理材料科学与工程学院2013年3月哈尔滨理工大学ClassifiedIndex：TQ436+．3DissertationfortheMasterDegreeinSciencePropertiesofSiliconePressureSensitiveAdhesiveModifiedbyNano—-Si02／MMTCandidate：Supervisor：AcademicDegreeA

2、ppliedfor：Specialty：DateofOralExamination：University：LiYingZhangMingyanMasterofScienceChemistryandPhysicsofPolymersMarch，2013HarbinUniversityofScienceandTechnology哈尔滨理工大学理学硕士学位论文哈尔滨理工大学硕士学位论文原创性声明本人郑重声明：此处所提交的硕士学位论文《纳米Si02／MMT改性有机硅压敏胶性能研究》是本人在导师指导下，在哈尔滨理工大学攻读硕士学位期间独立进行研究工作所取得的成果。据本人所知，论文中除已注明

3、部分外不包含他人已发表或撰写过的研究成果。对本文研究工作做出贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式注明。本声明的法律结果将完全由本人承担。作者签名：日期：乃乃年3月7秒日哈尔滨理工大学硕士学位论文使用授权书《纳米Si02／MMT改性有机硅压敏胶性能研究》系本人在哈尔滨理工大学攻读硕士学位期间在导师指导下完成的硕士学位论文。本论文的研究成果归哈尔滨理工大学所有，本论文的研究内容不得以其它单位的名义发表。本人完全了解哈尔滨理工大学关于保存、使用学位论文的规定，同意学校保留并向有关部门提交论文和电子版本，允许论文被查阅和借阅。本人授权哈尔滨理工大学可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论

4、文，可以公布论文的全部或部分内容。本学位论文属于保密口，在年解密后适用授权书。不保密囹。(请在以上相应方框内打√)作者签名：导师签名：弓日期：如，弓年3月夕9日哈尔滨理工大学理学硕士学位论文纳米Si02／MMT改性有机硅压敏胶性能研究摘要有机硅压敏胶具有良好的耐热性、耐化学性、绝缘以及对难粘表面的粘附性等，广泛应用于电机电器、汽车、航天、医疗等领域。近年来，随着科学技术的不断进步，研究人员尝试各种方法对有机硅压敏胶进行改性，以适应各领域对有机硅压敏胶提出的新要求。纳米材料的出现，为聚合物改性工作提供了新的方向。虽然将纳米材料用于改性有机硅压敏胶的研究资料较少，但借鉴于纳米材料在其

5、他聚合物改性中的研究成果，我们期待用纳米材料改性有机硅压敏胶，可以改善其热或电性能。本文以市售的有机硅压敏胶为基体，以纳米Si02和MMT为改性剂，分别用硅烷偶联剂和十八烷基季铵盐对二者进行处理，以BPO为固化剂，在超声振荡作用下，采用溶液共混的方法，制备了纳米Si02／MMT改性的有机硅压敏胶。用扫描电子显微镜观察了纳米Si02和MMT在甲苯、乙醇溶剂中的微观分散情况，用热失重法分析了改性胶的热性能。选用云母纸、玻璃布、PI膜为基材，用改性的胶粘剂将三者复合，得到一种三层柔软复合绝缘材料，通过测试复合材料的击穿电压、体积电阻率，分析了纳米Si02和MMT的量对复合材料电性能的影

6、响。研究结果表明，经过表面处理的纳米粒子在甲苯、乙醇混合溶液中的分散性得到改善；纳米Si02／MMT的加入，明显提高了有机硅压敏胶的表观分解温度，并在纳米总掺杂量为1wt％，Si02／MMT的质量比为1：2时，达到最大值561℃，比改性前提高了64℃；纳米Si02／MMT的加入使复合材料的击穿强度有所下降，但击穿强度的值仍远高于电气领域对衬垫绝缘及绕包绝缘用绝缘材料的要求；而对复合材料体积电阻率的测试结果表明，控制两种纳米材料的掺杂量及二者的比例，可以使体积电阻率增大，测试结果最低的体积电阻率为8．87×1012Q·m，虽然相比于未改性的压敏胶所制备的复合材料的体积电阻率12×1

7、012Q·m稍有降低，但仍满足应用上对绝缘材料的要求。关键词有机硅压敏胶；蒙脱土；纳米二氧化硅；热性能；电性能哈尔滨理工大学理学硕士学位论文PropertiesofSiliconePressureSensitiveAdhesiveModifiedbyNano--Si02／MMTAbstractSiliconepressuresensitiveadhesive(PSA)hasgoodheatresistance，chemicalresistance，insulationandadh