GaN薄膜位错对载流子性能影响的研究

GaN薄膜位错对载流子性能影响的研究

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时间:2019-05-16

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5、ofthreadingdislocationdensity(TDD)inGaNthinfilms,whichweregrownonthesapphire(Į-Al2O3)substratebymetalorganicchemicalvapordeposition(MOCVD),wasstudiedinthispaper.Firstly,differentGaNthinfilmsweregrownwithdifferentparametersinordertoachievethedifferentTDDs,andsom

6、esamplewastreatedbytherapidtreatingprogress(RTP)tomakedifferentTDDsinthesamesample.Then,theTDDsandopticalandelectricalcharacterofGaNsamplesweremeasuredbydouble-crystalX-raydiffraction(DCXRD)ǃphotoluminescence(PL)ǃHallmeasurementandtransmissionelectronmicroscope

7、(TEM).TheTEMwasusedtoinvestigatetheTDdistributionanddeveloped.TheTDDswereinthemagnitudeof108cm-2calculatedbyDCXRD,andthenbasedontheseresultstherelationshipbetweentheTDDsandpropertiesofcarrierandphoto-electricityofGaN.ThroughtherelationshipcurvesbetweenTDDsandca

8、rrierconcentrationormobilityofGaNsamples,itwasnoticedthatthecarrierconcentrationincreasedwiththeTDDsincreasing,whilethemobilitywascontrary.Thereasonableexplanationwasachieve

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