多晶硅的刻蚀方法

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1、SooPAT多晶硅的刻蚀方法申请号:200710040642.4申请日:2007-05-15申请(专利权)人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司地址201203上海市张江路18号发明(设计)人洪中山金贤在主分类号H01L21/28(2006.01)I分类号H01L21/28(2006.01)IH01L21/306(2006.01)IH01L21/336(2006.01)I公开(公告)号101308787公开(公告)日2008-11-19专利代理机构上海智信专利代理有限公司代理人王洁www.soopat.com注:本页蓝色字体部分可点击查

2、询相关专利

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