LED生产工艺及产品介绍-

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1、何为LED?LED(LightEmittingDiode)即发光二极管，是一种将电能转化为光能的电子器件，可以通过采用不同的化合物半导体材料其发光波长可以覆盖整个可视光区及部分红外和紫外波段。2021/8/112湘能华磊光电股份有限公司一、节能。二、绿色环保。三、寿命长。四、重量轻，体积小。五、耐振动。六、响应时间快。七、色彩鲜明、辨识性优。LED的七大优点2021/8/113湘能华磊光电股份有限公司华磊芯片目前方向：1、以08*15mil芯片成为小尺寸方片的市场主攻方向，光通量可达到5lm以上；2、不断提升10*23mil品质以满足背光源市场

2、需求；3、大功率芯片的研发4、华磊下阶段将向下游延伸，封装线也正在筹划中，目前小量验证线如SMD、Lamp及High-power的封装已经逐渐完善，基本接近国内封装厂水平，为下一步封装线的建立打下良好基础。2021/8/114湘能华磊光电股份有限公司外延生长芯片前工艺研磨、切割点测、分选检测入库工艺流程图2021/8/115湘能华磊光电股份有限公司外延生长2021/8/116湘能华磊光电股份有限公司外延生长：MO源及NH3由载气传输到反应室，以质量流量计控制气体流量，反应物进入反应室后经载气传输到衬底表面反应形成外延薄膜。主要设备有MOCVD、

3、活化炉、PL、X-Ray、PR、镭射打标机等。2021/8/117湘能华磊光电股份有限公司蓝宝石衬底GaN缓冲层N型GaN:Si多量子阱有源区（InGaN/GaN）P型GaN：MgP型InGaN-金属接触层外延结构示意图2021/8/118湘能华磊光电股份有限公司芯片工艺2021/8/119湘能华磊光电股份有限公司一、前工艺前工艺主要工作就是在外延片上做成一颗颗晶粒。简单的说就是ChipOnWafer的制程。利用光刻机、掩膜版、ICP、蒸镀机等设备制作图形，在一个2英寸的wafer片上做出几千~上万颗连在一起的晶粒。芯片工艺一般分为前工艺、后工

4、艺、点测分选三部分2021/8/1110湘能华磊光电股份有限公司目前华磊生产的芯片主要有：小功率：07*09mil、08*12mil、08*15mil12*13mil、10*16mil…背光源：10*23mil…高功率：45*45mil…2021/8/1111湘能华磊光电股份有限公司设备简介：黄光室：匀胶机、加热板、曝光机、显影台、金相显微镜、甩干机、台阶仪清洗室：有机清洗台、酸性清洗台、撕金机、扫胶机、甩干机蒸镀室：ICP、ITO蒸镀机、合金炉管、Pad蒸镀机、PECVD、扫胶机、手动点测机、光谱仪2021/8/1112湘能华磊光电股份有限公

5、司ICP曝光机2021/8/1113湘能华磊光电股份有限公司PECVD蒸镀机2021/8/1114湘能华磊光电股份有限公司做透明导电层SubstrateP--GaNN--GaN前工艺UVSubstrateN--GaNP--GaNmaskUVITO做透明导电层SubstrateP--GaNN--GaNITO电极做透明导电层SubstrateP--GaNN--GaNITO电极二氧化硅保护层1-MESA（刻台阶）3-做电极4-做保护层2-做透明导电层（ITO）2021/8/1115湘能华磊光电股份有限公司单颗晶粒前工艺后成品图2021/8/1116湘

6、能华磊光电股份有限公司点亮后点亮后点亮后点亮后2021/8/1117湘能华磊光电股份有限公司IPQC（In-ProcessQualityControl）IPQC主要是对芯片的电性参数做检测，然后品保会根据电性参数来判定晶片是继续下道工序还是需要返工，检测的电性参数主要有：Vf（正向电压）Iv（亮度）ESD（抗静电能力）Ir（逆向电流）Wd（波长）2021/8/1118湘能华磊光电股份有限公司二、后工艺后工艺是将前工艺做成的含有数目众多管芯的晶片减薄，然后用激光切割成一颗颗独立的管芯。研磨切割设备：上蜡机、研磨机、抛光机、清洗台、粘片机、切割机、

7、裂片机。2021/8/1119湘能华磊光电股份有限公司研磨机上蜡机2021/8/1120湘能华磊光电股份有限公司NEWWAVE激光切割机JPSA激光切割机2021/8/1121湘能华磊光电股份有限公司里德劈裂机2021/8/1122湘能华磊光电股份有限公司后工艺切割裂片研磨抛光陶瓷盘晶片背面朝上AA0234YBBT18AA0234YBBT18AA0234YBBT18切割研磨抛光从晶片背面劈裂，劈开后晶粒完全分开研磨是减薄厚度的主要来源，衬底从450um减少至100um抛光可以使背表面更光滑，并且可以减少应力裂片激光切割后的切割线2021/8/1

8、123湘能华磊光电股份有限公司点测分选的主要工作：1.点测大圆片或方片上每一颗晶粒电性和光学性能；2.将大圆片按照条件表分成规格一致的方片；3.吸除外