电路设计基础

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1、电路设计基础一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型错材料、B・P型箔材料、C・N型硅材料、D・P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型错材料、B・NPN型错材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P■普通管、V■微波管、W■稳压管、C-参量管、乙整流管、L■整流堆、S■隧道管、

2、N■阻尼管、U■光电器件、K・开关管、X■低频小功率管仆v3MHz,PcvlW)、G-高频小功率管(f>3MHz,PcvlW)、D-低频大功率管(fv3MHz,Pc>lW)、A・高频人功率管(f>3MHz,Pc>lW).「半导体晶闸管(可控整流器)、Y■体效应器件、B•雪丿期管、J■阶跃恢复管、CS■场效应管、BT•半导体特殊器件、FH•复合管、PIN-PIN型管、JG•激光器件。第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料髙频三极管口本半导体分立器件型号命名方法二、日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的

3、符号意义如下:第一部分:川数字表示器件有效电极数日或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1•二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3■具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、一--依此类推。第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。S・表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D・NPN型低频管、F・P控制极可控硅、G・N控制极可控硅、H・N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M・双向可控硅。第四部分:用数字表示在日本电子

4、工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数■从“口”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大,越是近期产品。第五部分:用字母表示同一型号的改进型产吊标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。美国半导体分立器件型号命名方法三、美国品体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如F:第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN・军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)•非军用品。第二部分:用数字表示pn结数日。1•二极管、2二三极管、3■三个pn结

5、器件、个pn结器件。第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。N•该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字■该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、-一-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN・军级、2•三极管、N・EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器

6、件型号命名方法。这种命名方法由四个基木部分组成,各部分的符号及意义如下:第一部分:用字母表示器件使用的材料。A■器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6-1.0eV如错、B■器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C■器件便用材料的Eg>1.3eV如伸化镣、D■器件使用材料的Eg<0.6eV如铮化锢、E■器件使用复合材料及光电池使用的材料第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D・低频人功率三极管、E・隧道二极管、F・高频小功率三极管、G・复合器件及其他器件、H・磁敏二极管、K•开放磁路中的霍尔元件、L•高频大功率三极會封闭磁路

7、中的霍尔元件、P■光敏器件、Q■发光器件、R■小功率品闸管、S■小功率开关管、T・大功率晶闸管、U■大功率开关管、X・倍增二极管、Y・整流二极管、乙稳压二极管。第三部分:川数字或字母加数字表示登记号。三位数字■代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字■表示专用半导体器件的登记序号。第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外,有时还加后

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