Ⅱ-Ⅵ族半导体复合纳米结构的控制合成与性能研究.pdf

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5、生：陈静巧导义师：钱海生中困分类号：０６１论文提史时间：２０１５年５月９日２０１５年５月Ｔｈｅ－ｓｅｍｏｎｄｕｃｔｏｒａｎｄｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄｓｙｎｔｈｅｓｉｓｏｆ打ＶＩｉｃｒｅｓｅａｒｃｈｏｆｉｔｓｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓｐＴｈｉｓｔｈｅｓｉｓｓｕｂｍｉｔｅｄ化ＺｈｅｉａｎＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｊｇｙ化ｒ也ｅｄｅｒｅｅｏｆＭ犯ｔｅｒｏｆＳｃｉｅｎｃｅｇｂｙＪｉｎＣｈｅｎｇＳｕｐｅｒｖｉｓｅｄｂｙＨａｉｓｈｅｎｉａｎｇＱＤｅｐａｒｔｍｅｎｔ

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7、出的方法主要涉及Ｗ下几种：（１）半导体半导体异质结；（２）半导体金属异质结；－ｄＳ作为基础半导３半导体碳异质结。（）；（４）多组分异质结本文选取Ｃ体，半导－－ｄＳｎＳ结合形体半导体异质结、半导体碳异质结为理论指导，分别通过Ｃ与Ｚ成ＺｎｘＣｄｕｘＳ中空合金纳米球、碳包覆ＣｄＳ纳米球Ｗ及两种方法相结合而形成ＺｎｘＣ（ｌ＿Ｓ／Ｃ核壳复合纳米球的方式而达到了光催化效果的不同程度的提高，该ｉｘ论文主要谈到了Ｗ下Ｈ个方面：１＿．ＺｎｘＣｄＳ中空纳米球的制备及其光催化巧能研究ｉｘＺｎＣｄ－Ｓ０绍書空合金纳米球ｘ，本章通过简易

8、水热法合成了形貌均匀的ｉｘＵ中（，并通过ＸＲＤ，扫描电子显微镜，透射电子显微镜等技术手段表征了样品的结构一直径约尺寸与形貌。结果显