微电子制造概论-考试复习提纲.ppt

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1、微电子制造概论复习提纲题目类型1：名词解释（英文缩写翻译，解释）（每题4分，5题，共20分）2：填空（每空2分，10空，共20分）3：简答（每题5~10分，5题，共45分）4：分析计算（每题15分，1题，共15分）每章主要知识点1、半导体原理2、半导体器件原理3、半导体设计基础4、半导体制造基础5、芯片互联和封装技术6、无源元件制造技术7、PCB设计和制造技术8、SMT技术基础1、半导体物理基础1.1半导体的能带理论（分析导体、绝缘体、半导体的区别）1.2半导体的载流子（种类、特点）1.3本征半导体和本征激发1.4杂质半导体的种类，p型和n型半导体的类型区别，主要掺入杂质的种

2、类，多数载流子和少数载流子，施主杂质和受主杂质，补偿效应1、半导体物理基础1.5载流子迁移（漂移）运动和扩散运动1.6载流子浓度，费米能级的意义1.7非平衡载流子：热平衡和非热平衡的区别，非平衡载流子载流子的特点，载流子的复合（种类，寿命，复合中心）2、半导体器件原理2.1pn结：pn结的形成，内电场，空间电荷区，pn结的电流电压特性，击穿的种类和原因；2.2双极型晶体管（三极管）：种类（pnp、npn），结构，分析其能够产生电流放大的条件，分析其开关特性的条件和原因2.3场效应管晶体管（MOS管）：场效应的原理，MOS管的结构，增强型和耗尽型、n沟道和p沟道--不同MOS管

3、的工作开启电压条件2.4CMOS管的结构3、半导体设计基础3.1逻辑电路基础：基本逻辑运算（与，或，非，与非，或非）的运算法则、真值表、逻辑图（符号）、逻辑表达式、时序图，简单逻辑电路3.2CMOS门电路：非电路，与非电路，或非电路，其他的逻辑电路转换为上面的三种电路的组合3、半导体设计基础3.3集成电路的设计流程3.4集成电路的版图设计：3.4.1什么是关键尺寸（CD）？3.4.2什么是基于“λ”的设计准则？3.4.3什么是按比例缩小原则？有什么用？3.4.4什么是摩尔定律？有什么用？3.5集成电路的系统设计：3.5.1设计方法有哪些？3.5.2什么是ASIC？PAL？GA

4、L？FPGA？4、半导体制造基础4.1半导体级别硅的生产工艺4.2单晶硅锭的生长工艺4.2.1CZ拉伸法：原理，拉伸设备的结构4.2.2悬浮区熔法：原理，设备结构4.2.3两种方法的优缺点4.3晶圆（wafer，硅圆片）的制造工艺4.4洁净室的分类标准4、半导体制造基础4.5、氧化工艺：氧化工艺的种类（优缺点），适用于哪些应用；4.6、化学气相淀积（CVD）：定义、种类4.6.1外延：定义，外延的方法，外延的应用4.6.2氮化硅：作用，主要工艺4.6.3多晶硅：作用，主要工艺4.7、金属化：4.7.1金属化的主要作用，材料4.7.2金属化工艺：蒸发、溅射：原理，应用4、半导体

5、制造基础4.8、光刻4.8.1光刻胶的种类，优缺点，应用范围4.8.2光刻工艺的主要步骤：成底模--涂胶--前烘--对准和曝光--后烘--显影--硬烘--检查，每步骤的主要目的4.8.3曝光光源种类，涂胶主要工艺，分辨率定义等4.9、蚀刻4.9.1蚀刻的种类4.9.2湿法刻蚀的特点，缺点4.9.3干法刻蚀的特点，优点，缺点，种类4、半导体制造基础4.10、杂质注入4.10.1扩散：原理、主要流程4.10.2离子注入：原理，设备，特点4.11、CMP：化学机械抛光的原理4.12、CMOS集成电路的制作过程5、芯片互联和封装技术5.1引线键合技术：WireBonding（WB）5

6、.1.1、引线键合的定义5.1.2、引线键合的方式5.1.3、引线键合工艺的种类5.1.4、引线的材料5.2载带自动焊技术：TapeAutomatedBonding（TAB）5.2.1、定义5.2.2、与WB相比的优点5.3、倒装焊技术：FlipChip（FC）5.3.1定义5.3.2特点5、芯片互联和封装技术5.4、封装的种类5.4.1塑料封装和陶瓷封装的特点5.4.2插装封装：SIP，DIP，PGA等5.4.2贴装封装：SOP，SOJ，QFP，BGA6、无源元件制造技术6.1、无源元件的定义、种类6.2、薄膜成膜技术6.2.1、真空蒸发技术：原理，应用范围6.2.2、溅射

7、技术：原理，应用范围6.2.3、膜厚监控技术：种类6.3、厚膜技术：6.3.1、厚膜浆料的成分和其作用6.3.2、厚膜工艺：印制（种类）烧结6.3.3、厚膜厚度的测试：方阻（定义，测试方法）6.3.4、微调技术：电阻微调技术种类，电容微调6、无源元件制造技术6.4、无源元件及其制造6.4.1分类6.4.2薄膜电阻的主要工艺6.4.3电解电容的主要结构，铝电解电容的主要工艺6.4.4集成式无源元件的优点6.4.5嵌入式无源元件的优点7、PCB设计和制造技术7.1、PCB的基本术语：PCB、基板、单面板，双