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1、第八章存储器和可编程逻辑器件本章主要内容半导体存储器随机存取存储器可编程逻辑器件现场可编程逻辑阵列(FPLA)只读存储器1.只读存储器（ROM）9.1半导体存储器存储量=字×位字=2nn:地址线数存储器容量=32K×8地址线数=151.只读存储器（ROM）的存储结构地址输入线数据输出线(位)二极管ROM的实现图地址数据A1A0D3D2D1D0001001010111101110110101W0W1W2W3ROM的数据表D3=W0+W2D2=W1+W2+W3D1=W1+W2D0=W0+W1+W3地址数据A1A0D3D2D1D0001001010111101110110101W0W1
2、W2W3D3=A1A0+A1A0D2=A1A0+A1A0+A1A0D1=A1A0+A1A0D0=A1A0+A1A0+A1A0只读存储器（ROM）阵列图ROM的阵列框图ROM的阵列框图ROM的阵列图只读存储器（ROM）阵列图D3=A1A0+A1A0D2=A1A0+A1A0+A1A0D1=A1A0+A1A0D0=A1A0+A1A0+A1A0(1)数据存储 (2)用ROM实现组合逻辑函数只读存储器（ROM）的应用D3(A1,A0)=∑(0,2)D2(A1,A0)=∑(1,2,3)D1(A1,A0)=∑(1,2)D0(A1,A0)=∑(0,1,3)用ROM实现组合逻辑函数地址数据A1A
3、0D3D2D1D0001001010111101110110101W0W1W2W3输入输出例：用ROM实现二进制码转换为格雷码。G3=∑m（8,9,10,11,12,13,14,15）G2=∑m（4,5,6,7,8,9,10,11）G1=∑m（2,3,4,5,10,11,12,13）G0=∑m（1,2,5,6,9,10,13,14）字二进制码格雷码B3B2B1B0G3G2G1G0W0W1W3W2W4W5W6W7W8W9W10W11W12W13W14W150000000000001000101000110000001100101000110101011111001011110100
4、1111111100011000011101010111101111101001010101101111010011111000二进制码转换为格雷码的阵列图逻辑符号图ROM的分类PROM(programmableread-onlymemory)—可编程ROM用专门的编程器写入数据一次，一次性使用。EPROM（erasableprogrammableread-onlymemory）—可察除ROM用编程器写入数据，可重复使用。察除时用紫外线照射。EEPROM(E2PROM--electricallyerasableprogrammableROM）—电可察除ROM在芯片上有一专用电压端
5、，当给它加上要求的电压后，就可写入新的数据，可重复使用。9.2可编程逻辑器件可编程逻辑器件（PLD）分类现场可编程门阵列(FPGA：FieldProgrammableGateArray)Xilinx公司把基于查找表技术，SRAM工艺，要外挂配置用的EEPROM的PLD叫FPGA复杂可编程逻辑器件(CPLD：ComplexProgrammab1eLogicDevice)Altera公司把基于乘积项技术，Flash（类似EEPROM工艺）工艺的PLD叫CPLDPLD缓冲器表示法PLD电路的表示方法PLD的与关系表示法PLD电路的表示方法•表示芯片自己连接好的×表示编程后连接起来的PL
6、D的或关系表示法•表示芯片自己连接好的×表示编程后连接起来的PLD的与门简略表示法两种可编程逻辑器件(PLD)的结构特点PROM结构FPLA结构FPLA的简化结构（非正式场合）例：用FPLA实现下列多输出函数。FPLA的应用ABCD0001111000011110yABCD0001111000011110wABCD0001111000011110x111111111111111111P1P2P3P1P4P5P6P2P7P8FPLA实现阵列图ABCDwxyP1P2P8例:用FPLA实现四位二进制码转换为格雷码的代码转换阵列图。G3=B3G2=B3B2+B3B2G1=B2B1+B2B
7、1G0=B1B0+B1B0字二进制码格雷码B3B2B1B0G3G2G1G0W0W1W3W2W4W5W6W7W8W9W10W11W12W13W14W1500000000000010001010001100000011001010001101010111110010111101001111111100011000011101010111101111101001010101101111010011111000FPLA的实现阵列图G3=B3G2=B3B2+B3B2G1=B2B1+B2B1
