模拟电子电路习题课.ppt

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1、模拟电子电路习题课——主讲教师：玄玉波画出二极管输出电路波形？1.根据输入信号大小，判断二极管导通与截止。假设电路中二极管全部开路，分析二极管两端电位（当电路存在多个二极管时，存在优先导通权，正偏电压最大的管子优先导通）2.找出与的关系。3.画输出信号波形。P6(三）P8六1.二极管估算法1.判断二极管导通与截止。假设电路中二极管全部开路，分析二极管两端电位（当电路存在多个二极管时，存在优先导通权，正偏电压最大的管子优先导通），分为理想和实际二极管两种。2.利用上述分析方法将截止的二极管开路，3.画输出信号波形。P书28例2确定二极管的工作状态。P7(四）1、确定二极管的工作

2、状态。P7(四）1、双极性三极管，放大状态，用直流电压表测得各三极管的各极电位（对地）。试判断三极管的电极、管型及所用材料？p131.判断电极：基极电位居中。对NPN管对PNP管。发射极和基极电位差绝对值硅管0.7V左右，锗管0.2V左右，据此可找出发射极e,并判断管子材料。最后剩下的电极便为集电极c。2.判断管型。NPN型管,PNP管。3.判断材料。硅管的,锗管的。PNP三极管特点：发射结集电结放大区正VBE=-0.7反(电源VCC为负值）饱和区正VBE=-0.7正VBC=-0.4VCE=-0.3截止区反反P152.1(4)三极管直流分析,估算法1.设晶体管处于

3、线性放大状态。2.分析线性电路，，。3.确定晶体管工作状态。NPNPNP放大VBE>0.7V;VCE>0.3-VBE>0.7V;-VCE>0.3饱和VBE>0.7V;VCE<0.3-VBE>0.7V;-VCE<0.3截止VBE<0.5V;VCE>0.3-VBE>0.7V;-VCE>0.3复合管P书922-13结论：P书922-19P162.6(b）假设工作在放大模式P书932-19满足-VCE<0.3，处于饱和模式，复合管P书922-13结论：场效应管判断P、N沟道？增强型还是耗尽型或结型？（1）N沟道：VDS>0,ID流入管子漏极。P沟道：VDS<0,ID自管子漏极流出。（

4、2）VGS极性取决于工作方式及沟道类型JFET:VGS与VDS极性相反。P书1313-13场效应管估算法无论P还是N沟道，都先假设工作在饱和区。（1）由直流通路写出管外电路VGS与ID之间的关系式。（2）根据FET的类型，选择合适的数学模型。（3）联立求解上述方程。在得到的两组解中，根据FET选取合适（VGS）的一组。（4）判断电路工作模式：场效应管饱和区电流MOSJFETP作业本213.3p书1293-6沟道长度调制效应忽略不计，设MOS管工作在饱和区，则联立求解上述方程：由图及上述分析结果得满足假设成立因为，则