最新肖特基势垒二极管的构造原理及特性(1)课件PPT.ppt

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1、肖特基势垒二极管的构造原理及特性(1)肖特基势垒二极管的构造原理及特性体作为工作层，在其上面再形成零点几的二氧化硅绝缘层，光刻并腐蚀直径为零点几或几十的小洞，再用金属点接触压接一根金属丝或在面接触中淀积一层金属和N型半导体形成金属半导体结，在该点上镀金形成正极，给另一面层镀金形成负极，即可完成管芯。肖特基势垒二极管有两种管芯结构：点接触型和面结合型，如图2-1所示。点接触型管芯用一根金属丝压接在N型半导体外延层表面上形成金半接触。面结合型管芯先要在N型半导体外延层表面上生成二氧化硅(SiO2)保护层，再用光刻的办法腐蚀出一个小孔，暴露出N型半导体

2、外延层表面，淀积一层金属膜(一般采用金属钼或钛，称为势垒金属)形成金半接触，再蒸镀或电镀一层金属(金、银等)构成电极。肖特基势垒二极管的构造原理及特性图2-1两种肖特基势垒二极管结构(a)点接触型；(b)面结合型肖特基势垒二极管的构造原理及特性图2-2金属-半导体结在外加电压作用下的情况（a）不加偏压（b）加正向偏压（c）加反向偏压肖特基势垒二极管的构造原理及特性③反偏：金属一侧接负极，半导体一侧接正极外加电场与内建电场方向一致、耗尽层变厚、扩散趋势削弱、热电子发射占优势，但这部分电子数量很少，不会是发射电流增大。在反偏电压的规定范围内，只有很小

3、的反向电流。在反偏情况下，肖特基势垒呈大电阻特性。反偏电压过大时，则导致反向击穿。肖特基势垒具有单向导电特性，与PN结类似但只有电子运动，反应灵活，使用频率高。二、肖特基势垒二极管的特性1、伏安特性肖特基势垒二极管的构造原理及特性图2-3肖特基势垒二极管的伏安特性曲线肖特基势垒二极管的构造原理及特性各参数表征的意义：－－反向饱和电流，n－－工艺因子－－波尔兹曼常数－－电子电荷T－－工作温度V－－偏压，单位为伏2、结电阻其中肖特基势垒二极管的构造原理及特性正偏时：随着I上升，迅速下降反偏时：为一个几兆欧的固定大电阻3、结电容其中，4、寄生参数①其中

4、分别为N体电阻衬底电阻电极电阻②引线电感（零点几毫微亨）肖特基势垒二极管的构造原理及特性③封装电容（零点几皮法）三、等效电路和特性参数1、等效电路如图2-42、特性参数截止频率由前面可知，、都很小，故截止频率很高，可达到KHz，工作频率噪声温度比总输出噪声功率与KTB之比肖特基势垒二极管的构造原理及特性图2-4肖特基二极管等效电路肖特基势垒二极管的构造原理及特性理想情况下，实际中，一般中频阻抗是指在额定本振功率时，对指定中频呈现的阻抗。我们将在以后讨论基本指标、噪声系数和变频损耗13星星的新朋友义务教育小学语文(S)版二年级上册气象卫星通信卫星东

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