半导体激光经巩膜睫状体光凝术治疗难治性青光眼的远期疗效观察

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1、半导体激光经巩膜睫状体光凝术治疗难治性青光眼的远期疗效观察作者：宋艳萍　朱丽　丁琴　赵霞　黄鹏程【摘要】　　目的：评价半导体激光经巩膜睫状体光凝术（diodelasertranscleralcyclophotocoagulation,DLTscpc）治疗难治性青光眼的远期疗效。方法：对431眼难治性青光眼采用低能量1.5～2.5W,多点数26～34的DLTscpc，术后随访观察并记录眼压，视力，眼部自觉症状以及并发症，随访时间36mo以上。结果：术前平均眼压（56.2±12.7）mmHg，最后随访平

2、均眼压为（17.3±8.8）mmHg，经配对资料t检验，术前眼压与术后眼压相比，差别具有统计学意义（P＜0.05）。手术有效率97.5％。术后399眼视力无变化，30眼视力提高，2眼视力下降。术前有眼痛的患者眼痛均消失或缓解，并发症少，程度轻，主要有色素膜炎，前房出血等，2眼眼球萎缩。结论：经长期随访观察，DLTscpc是治疗难治性青光眼的一种简单，安全有效的方法。【关键词】半导体激光　经巩膜睫状体光凝术　难治性青光眼　　Long-termeffectoftransscleraldiodelaser

3、cyclophotocoagulationintreatmentofrefractoryglaucoma8AbstractAIM:Toevaluatethelong-termefficiencyofdiodelasertransscleralcyclophotocoagulation(DLTscpc)forrefractoryglaucoma.METHODS:Retrospectiveanalysiswasmadein431eyeswithrefractoryglaucomatreatedbyDLT

4、scpcwithlowerenergypower(1.5-2.5W)andmorelaserspots(26-34).Intraocularpressure(IOP),visualacuity,ocularsymptomsandcomplicationswereobservedafterDLTscpc.Patientswerefollowedupover36months.RESULTS:Meanpre-operativeIOPwas(56.2±12.7)mmHgwhichwassignificant

5、lydifferentfromthefinalfollow-upmeanIOP(17.3±8.8)mmHg.(P<0.05).Thesuccessratewas94.4%(68/72).Postoperativevisualacuitykeptnochangein399eyes;elevatedin30eyesanddecreasedintwoeyes.Thepainsensedisappearedorremarkablyrelieved.Themaincomplicationsinclude

6、dmilduveitisandhyphemae.Atrophyofeyeballoccurredintwoeyes.CONCLUSION:ItisconcludedthatDLTScpcisasimple,safeandeffectivetherapyforeyeswithrefractoryglaucomathroughlong-termobservation.·KEYWORDS:diodelaser;cyclophotocoagulation;refractoryglaucoma8　　0引言难治

7、性青光眼是指应用药物和手术均难以控制的青光眼。这类青光眼过去常采用常规滤过性手术或睫状体破坏性手术，如睫状体冷冻或睫状体电凝术。但临床效果差，并发症多。我院于自1996-09/2005-09应用半导体激光经巩膜睫状体光凝术（diodelasertransclero-cyclophotocoagulation,DLTscpc）治疗难治性青光眼690例697眼，其中430例431眼我们追踪观察3a以上，疗效满意。现报道如下。1对象和方法1.1对象430例431眼，男255眼，女176眼，年龄16~89（

8、平均52）岁。其中包括新生血管性青光眼213眼（49.4%），复杂眼外伤继发青光眼17眼（3.9%），硅油填充术后高眼压8眼（1.9%），原发性闭角型青光眼绝对期187眼（43.4%），原发性开角型青光眼4眼（0.9%），先天性青光眼2眼（0.5%）。均为治疗前应用多种药物联合治疗眼压仍≥40mmHg（1mmHg=0.33kpa）。治疗前视力无光感～0.25。仪器设备为德国Canlzeiss公司生产的VisulansDiode半导体激光器，波长810nm,功率100～