半导体照明术语及定义(芯片外延片)

半导体照明术语及定义(芯片外延片)

ID:1534842

大小:741.50 KB

页数:11页

时间:2017-11-12

半导体照明术语及定义(芯片外延片)_第1页
半导体照明术语及定义(芯片外延片)_第2页
半导体照明术语及定义(芯片外延片)_第3页
半导体照明术语及定义(芯片外延片)_第4页
半导体照明术语及定义(芯片外延片)_第5页
资源描述:

《半导体照明术语及定义(芯片外延片)》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、外延术语1、外延生长(Epitaxy)2、量子阱(QuantumWell)3、能带工程(Energybandengineering)4、半导体发光二极管(LightEmittingDiode)5、PN结的击穿(PNjunctionStriking)6、金属有机化学汽相沉淀积(MetalOrganicChemicalVaporDeposition)7、异质结构(HeterogeneousStructure)8、量子阱半导体激光器(QuantumWellLaser)9、超晶格(SuperLattice)Epitaxy:外延制

2、程(垒晶)GaP:磷化镓n-GaN:N型氮化镓p-GaN:P型氮化镓GaAs:砷化镓GaN:氮化镓AlInGaP:磷化铝镓铟(铝铟镓磷)AlGaAs:砷化铝镓(铝镓砷)InGaN铟镓氮AlGaN铝镓氮Wafer:晶片、外延片分析仪器1、XRD:X射线衍射仪,主peakGaN分析仪器2、PL:荧光光谱仪(或光致发光光谱仪),Peak强度越强,FWHM越窄,表示有较佳的QW。3、Hall:霍尔测试仪,利用霍尔效应测量载流子(对n-GaN载流子为电子,对p-GaN,载流子为空穴)迁移率(mobility)以及SheetResi

3、stance,分析时同结构若有相同的掺杂(Doping),若是量测的迁移率mobility较小,可以推测此结构有较多的缺陷(Defects)。4、SEM(ScanningElectronMicroscopy):扫描式电子显微镜,测量刻蚀深度、及刻蚀截面状况。5、Microscope:显微镜6、DifferentialMicroscopy(Nikon-OPTIPHOT):晶相(金相)显微镜,用以观测磊芯片表面的型态(morphology)。7、EDS:能量分色散光谱仪,EDS之仪器构造主要是由一个硅(锂)固态侦测器为核心,

4、它是由硅单晶参杂锂原子而成的。8、MOCVD(MetalOrganicChemicalVaporDeposition):金属有机化学汽相沉淀积9、TEM:透射电子显微镜,测量截面的微细构造,可测量量子井阱、缓冲层以及超晶格的微细构造厚度及接口(界面)状况。10、SIMS:二次离子质谱仪,测量每层的掺杂状况,可测量P-GaN以及N-GaN的掺杂状况,以及掺杂载子的浓度以及扩散距离等测量。芯片(Chip)1、LED(LightEmittingDiode):发光二极管2、reversemountingtype薄芯片LED:反向

5、粘着型薄芯片LED(倒装芯片)3、GaNLED:氮化镓发光二极管4、UVLED:紫外线二极管(紫外发光二极管)5、ChipProcessing:芯片制程6、Photolithography:光刻,将图形从光罩(掩膜版)上成象到光阻上的过程。7、Photoresist:光刻胶(光阻),是一种感光的物质,经紫外光曝光后会变得很硬而不溶解于腐蚀剂。其作用是将Pattern从光刻版(掩膜版)(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。(第13条与此条合并)8、Etching:蚀刻9、WetEtchin

6、g:湿式(法)蚀刻,将芯片浸没于化学溶液中,将进行光刻制程前所沈沉积的薄膜,把没有被光阻覆盖及保护的部分,利用化学溶液与芯片表面产生氧化还原作用的化学反应的方式加以去除,以完成转移光罩图案(掩膜版图形)到薄膜上面的目的。10、DryEtching:干式(法)蚀刻,干式蚀刻主要是利用低压放电,将气体电离成电浆,使气体透过电场解离,产生具有反应及方向性的离子。接着,将晶圆(晶片)置于带有负电的阴极,使带有正电的离子因物理作用而以垂直角度撞击晶圆(晶片)表面,就可得到垂直蚀刻。11、Evaporation:蒸镀,利用电子枪所射

7、出的电子束轰击待镀材料,将高能电子射束的动能转化为熔化待镀材料的热能,使其局部熔化。12、Lift-off:剥离,用bluetape(蓝膜)把金属弄走。14、Mask:光刻版(掩膜版),是一石英玻璃,上面會鍍上一層影像。(e.g.TCL,p-pad,n-pad)其原理和拍照用的菲林一樣。15、PhotoresistCoating:上光刻胶(光阻涂敷)16、SoftBake:软烤,其主要目的是通过SoftBake将光阻中的溶剂蒸发,并控制光阻的敏感度和将来的线宽,同时也将光阻中的残余内应力释放。17、HardBake:硬烤

8、,是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发,并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。18、Exposure:曝光,是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程,同时将光罩(掩膜版)上的图形传递到Wafer上的过程。19、PEB(PostExposureBake):是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。