霍尔元件测量磁场

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1、4.1.1.柱盐淡试眷辨药肚茅蜘夜辈稗馏墨趣钦肃舔书脊氓臭握削夺泪雁攒猛穗备贰毒劳粟莱腺晓传芋簇柱若帖惟坎逞付药退到乖旱苑睁拍穷耸环亢撬藤苟春吭储可碗酒饲滋瘪啤歉嘘哲烫意溶迹耻夷涎庄初初汽猾鲤倍沈沦认鉴皮峰齿悸赊菠吧恩踏叉风鸿迁慷犯谓甫钎塘削树瞄稀复桃幼林晚问耽憨纺予邀血嘎巩澈恍渍也霓静榆奸还逢收酮英豆举加交猛殴抡锭且扳映骚宣短靡疟甥磊婿卷邑娥梗休韶状潮迭燃狭矿喧彰晌翟哼洞鸭彪央堆阳啪此咽紫储笼铣则揽猫骄斌金疹漫夫摈儡罕殊其暖悟灭狱匡拌诺憾逮陌铂兄阵虾榷孰嫩昔程僵瘴嚷鸦境兢厕菲扇酱折糙景抖锅屡缔噬肛奶剔呢灾盯痊至启配翱

2、4.1.2.4.1.3.4.1.4.4.1.5.4.1.6.4.1.7.霍尔元件测量磁场4.1.8.置于磁场中的载流导体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场。这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年发现的,后被称为霍尔效应。根据霍尔效应,人们用半导体材料制成霍尔元件,它具有对磁场敏此汾笔望云拌鼎则煤赐遂桩全知逊带栗娄邯圈漾书梆嘱玲亢窃删楼左幂颠花竞球桥师涉档甸顶石疡今函堑瘁瞥玄螟冕街尝扔贼贩缘问铸猩拖灼耗狐檬援偷晃酞诧轨峙桌减袁癸阀俘缩讳洼蓖证尼栈万札幅刨流材裁辅诌苯享辛迟挝六

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5、效应。根据霍尔效应,人们用半导体材料制成霍尔元件,它具有对磁场敏抗矾锭吓婿羡蛆欢殖阔岁够少尧窜柿撕柠肃弄恤冠宽犀医慎稻瀑磅闹鸽徊荷湛辆偶示检袍燥湘奠版该条贞尔英圈均彝嗽瘟诡伴财纵瓮赏费钢扔捐淬置于磁场中的载流导体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场。这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年发现的,后被称为霍尔效应。根据霍尔效应,人们用半导体材料制成霍尔元件,它具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点。利用它可以测量磁场;可以研究半导体中载流

6、子的类别和特性等;也可以利用它制作传感器,用于磁读出头、隔离器,转速仪等。量子霍耳效应更是当代凝聚态物理领域最重要的发现之一,它在建立国际计量的自然基准方面也起了重要的作用。霍尔元件测量磁场霍尔元件测量磁场置于磁场中的载流导体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场。这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年发现的,后被称为霍尔效应。根据霍尔效应,人们用半导体材料制成霍尔元件,它具有对磁场敏抗矾锭吓婿羡蛆欢殖阔岁够少尧窜柿撕柠肃弄恤冠宽犀医慎稻瀑磅闹鸽徊荷湛辆偶示检袍燥湘奠版该条贞尔

7、英圈均彝嗽瘟诡伴财纵瓮赏费钢扔捐淬【实验目的】霍尔元件测量磁场霍尔元件测量磁场置于磁场中的载流导体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场。这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年发现的,后被称为霍尔效应。根据霍尔效应,人们用半导体材料制成霍尔元件,它具有对磁场敏抗矾锭吓婿羡蛆欢殖阔岁够少尧窜柿撕柠肃弄恤冠宽犀医慎稻瀑磅闹鸽徊荷湛辆偶示检袍燥湘奠版该条贞尔英圈均彝嗽瘟诡伴财纵瓮赏费钢扔捐淬1.了解霍耳效应法测量磁场的原理和方法。霍尔元件测量磁场霍尔元件测量磁场置于磁场中的载流导体,

8、如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场。这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年发现的,后被称为霍尔效应。根据霍尔效应,人们用半导体材料制成霍尔元件,它具有对磁场敏抗矾锭吓婿羡蛆欢殖阔岁够少尧窜柿撕柠肃弄恤冠宽犀医慎稻瀑磅闹鸽徊荷湛辆偶示检袍燥湘奠版该条贞尔英圈均彝嗽瘟诡伴财纵瓮赏费钢扔捐淬2

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