高速沉积非晶硅顶电池及在非晶-微晶硅叠层电池中的应用

高速沉积非晶硅顶电池及在非晶-微晶硅叠层电池中的应用

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时间:2019-05-20

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1、南开大学硕士学位论文高速沉积非晶硅顶电池及在非晶/微晶硅叠层电池中的应用姓名:李贵君申请学位级别:硕士专业:微电子与固体电子学指导教师:耿新华20090601摘要在硅基薄膜太阳电池中,非晶硅/微晶硅叠层太阳电池代表了新一代低成本太阳电池的发展方向。为了进一步降低太阳电池成本,加快非晶/微晶硅叠层太阳电池的产业化进程,需要提高薄膜电池的沉积速率与转换效率。本论文针对上述目的,主要进行了以下三个方面的研究。首先,采用VHF.PECVD技术实现非晶硅薄膜的高速沉积。详细研究了高速沉积非晶硅薄膜时,电极间距与沉积气压对于沉积

2、速率的影响,结果表明:增加气压能够实现薄膜的高速沉积,在每一个沉积气压下,将存在一个最佳的电极间距,压力越大,所需要的电极间距越小,在沉积气压和电极间距达最佳匹配后,沉积速率随沉积压力基本呈线性增加;同时,高速沉积薄膜时,必须保证反应气体在腔室中维持一定的滞留时间。在沉积条件处于靠近非晶/微晶过渡区非晶一侧时,才有利于器件质量高速非晶硅材料的获得。最后,在沉积气压为1.5Torr,电极间距为16mm,辉光功率为24W时获得了沉积速率为15.5A/s的器件质量的非晶硅薄膜材料,其光敏性为2.1E6,激活能E。为0.83

3、eV,CPM测试获得的次带吸收系数a(o.8)为1/era左右,带隙宽度Eg为1.7eV;其次,研究了P型掺杂材料、p/i界面buffer层及n型掺杂材料对于提高非晶硅电池性能的影响。提出不含碳p-proto.Si:H并成功应用到电池中,解决了含碳的P型掺杂层中碳的扩善对本征层造成的污染问题,提高了电池的稳定性。p-proto.Si:H处于非晶/微晶过渡区非晶一侧,晶化率为20%左右,晶粒尺寸只有2.3nm,暗电导率为8E-5S/cm,激活能为0.14eV,具有较大的光学带隙;在p/i界面引入一buffer层,通过控

4、制buffer层厚度和硅烷浓度,初步获得的电池效率达8.65%(Voc=0.89V,Jsc=12.9mA/cm2,FF=O.753);通过调节n型掺杂层地沉积参数,获得了具有宽带隙、高电导率的n-no.Si:H,其处于非晶/微晶过渡区微晶一侧,晶化率在20%左右,晶粒尺寸为2.6nm,带隙宽度为2.05eV,电导率为2.6S/cm,电导激活能为0.028eV。最后,以n.nc.Si:H为n型掺杂层,P.proto.Si:H作为窗口层的高速非晶硅顶电池获得的效率达9.37%(Voe=0.945V,Jsc=14.2mA/

5、cm2,FF=0.7)。再次,对于非晶硅/微晶硅叠层电池中的n/p隧穿结,引入了双n层和n/p界I摘要面氧化处理的方法。双n层结构中n-a.Si:H的加入,一方面有效解决了顶电池的漏电现象;另一方面,一定程度上解决了顶电池的非晶硅本征层和11.衅.Si:H之间的能带失配问题,在n.a.Si:H厚度为6nm时,叠层电池的Voc达到了1.33V,FF增大到0.63;此外,对n/p界面的氧化处理使形成了高缺陷态密度的界面层,增加了项、底电池之间遂穿结处载流子的复合几率,一定程度上也改善了叠层电池的性能,其中Voe从1.33

6、V增大到1.35V,FF从O.63增大到0.65。通过改变单元电池本征层的厚度,借助于顶、底电池的QE测试,实现了顶、底电池的电流匹配。在顶电池厚度为280nm时,要达到电流匹配,在有ZnO:B背反射的情况下,底电池厚度应略小于2.2Itm。关键词:高速沉积p-proto-Si:Hn-nc-Si:H非晶硅/微晶硅叠层太阳电池n/p遂穿结。IIAbstractAbstractAmongstthesiliconbasedthinfilmsolarcells,theamorphous/microcrystallinesil

7、icontandemsolarcellispromisingforthenewgenerationsolarcells.Weneedtoimprovedepositionrate(IⅫ)andefficiencyinordertoreduceproductioncostwhichplaysallimportantroleinindustrializingtheamorphous/microcrystallinesilicontandemsolarcells.Forsuchpurposethreemajorpartsw

8、ereconductedinthisthesis.Inthefirstpart,weachievedhighRdofarnorphoussilicon(a-Si:H)thinfilmsbyVHF-PECVD.TheinfluenceofpressureandelectrodegapontheRdWasstudied;hi曲depositionr

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