上海交通大学成人高等教育学位课程考试大纲_集成电路设计原理_新

《上海交通大学成人高等教育学位课程考试大纲_集成电路设计原理_新》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、上海交通大学成人高等教育学位课程考试大纲课程名称：集成电路设计原理，VLSI电路设计原理专业名称：电子科学与技术学习形式：课堂讲课课程总要求：了解VLSI集成电路的背景、制造工艺和EDA工具，掌握各种芯片设计技术原理，熟练设计集成电路的门级和晶体管级电路、尺寸和版图。考核知识点：第一章MOS晶体管工作原理1．1MOS晶体管的结构特点和基本原理能带论部分不看1．2MOS晶体管的阈值电压分析重点看1．2．1和1．2．2，其它小节仅要求了解概念，公式不看。1．3MOS晶体管的电流方程重点是1．3．2简单电流方程，要求会推导；并掌握它和MOS晶体管

2、电流统一表达式的等价性证明方法。1．4MOS晶体管的瞬态特性重点掌握概念，烦复的公式不要求掌握。第二章MOS器件按比例缩小2．1按比例缩小理论重点掌握CE理论，其余了解概念。2．4VLSI发展的实际限制了解即可。第三章CMOSIC工艺流程及电路中的寄生效应3．1集成电路制作中的几个基本工艺步骤重点掌握概念。3．2CMOSIC工艺流程要求好好掌握，并会由此及彼（如N阱CMOSIC工艺流程）。3．3CMOSIC的寄生效应重点掌握场开启、寄生闩锁效应和寄生电容等。第四章CMOS反相器CMOS传输门4．1CMOS反相器的直流特性基本而重要，要求重点

3、掌握。4．2CMOS反相器的瞬态特性只要求掌握4．2．1阶跃输入情况。4．3CMOS反相器的功耗4．4CMOS反相器的设计4．6CMOS传输门衬偏效应对CMOS传输门性能的影响可不看。第五章CMOS静态逻辑电路设计5．1静态CMOS逻辑门的构成特点要求掌握构成方法。5．2CMOS与非门的分析重点掌握等效反相器分析方法，以及瞬态特性分析技术。5．3CMOS或非门的分析重点掌握等效反相器分析方法，以及瞬态特性分析技术。5．4CMOS与非门和或非门的设计要求掌握各种设计方法，本节例题特别重要，要求务必掌握。5．5组合逻辑电路的设计要求会用晶体管级

4、电路实现各种常用逻辑功能。5．5．4小节不要求掌握。5．7传输门逻辑电路只要求掌握5．7．1和5．7．2这两小节。第六章动态和时序逻辑电路设计6．1动态逻辑电路的特点要求掌握构成方法。6．2预充-求值的动态CMOS电路只要求掌握6．2．1和6．2．2这两小节。6．6CMOS触发器重点掌握6．6．1和6．6．3这两小节。第七章输入、输出缓冲器7．2输入保护电路7．3输出缓冲器7．4脱片输出驱动级的设计重点掌握梳状结构晶体管的结构和特点。第九章MOSIC的版图设计9．1VLSI的设计方法重点理解概念。9．3版图设计要求掌握版图设计规则的主要内容

5、。本节版图设计实例特别重要，要求务必掌握。学习教材与主要参考书：教材：数字CMOSVLSI分析与设计基础，甘学温编者参考书：超大规模集成电路设计方法学导论，第二版，杨之廉，清华大学出版社考试形式及试卷结构：1、试卷总分：100分2、考试时间：120分钟3、考试方式：闭卷，笔试4、参考题型及比例：选择题共10题每题1.5分约15%是非题共10题每题1.5分约15%其它题型举例：设计题，证明题，简述题，约70%。题型举例：1.画出用传输门和反相器实现准静态D触发器的晶体管级电路并阐述其工作原理。2.试用预充-求值的动态富NMOS晶体管级电路实现

6、下列逻辑功能：3.是非题：正确的填T，错误的填F，将合适的标号（T或F）填到答题纸上的空白横线上：1）D触发器无论输入信号如何变化，在一个时钟周期内输出状态只能变化一次，因此没有空翻问题。__________4.试按全对称方法设计一个二输入CMOS与非门，要求在驱动70pF外部负载电容的情况下输出级上升和下降延迟时间不超过10ns。采用1mmCMOS工艺，tox=55nm，VTN=-VTP=0.7V，mn=600cm2/(V×s)，mp=280cm2/(V×s)，VDD=5V。这里，,,,，。