实验工艺技术

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1、编号原料温度升温速率加压温度室温-300℃以10℃210CIGS四元粉+PVA造粒550℃/min；300℃开始加压300-550℃以5℃/min室温-400℃以10℃211CIGS四元粉+PVA造粒580℃/min；400℃开始加压400-550℃以5℃/min212CuSe+In0.8Ga0.26Se1.1+PVA造粒550℃以10℃/min升至550℃550℃开始加压213CIGS四元粉+PVA造粒550℃以10℃/min升至550℃550℃开始加压214CuSe+In0.8Ga0.26Se1.1+PVA造粒550℃以10℃/min升至550℃550℃开始加压室温-350

2、℃以10℃215CuSe+In0.8Ga0.26Se1.1+PVA造粒550℃/min；350℃开始加压350-550℃以2℃/min室温-550℃以10℃550℃216CuSe+In0.8Ga0.26Se1.1+PVA造粒/min；550℃~600℃以550℃开始加压600℃2℃/min室温-400℃以2℃预压20KN；330℃加217CuSe+In0.8Ga0.26Se1.1+PVA造粒600℃/min；压20KN；400℃加压400-600℃以5℃/min20KN218CuSe+In0.8Ga0.26Se1.1成型后烧6结20℃以10℃/min升至620℃气压烧结219C

3、u0.9+ZnS+SnS成型后烧结700以10℃/min升至700℃气压烧结220Cu0.9+ZnS+SnS成型后烧结700以10℃/min升至700℃气压烧结221Cu0.9+ZnS+SnS成型后烧结650以10℃/min升至650℃气压烧结222Cu0.9+ZnS+SnS成型后烧结750以10℃/min升至750℃气压烧结223Cu0.9+ZnS+SnS成型后烧结770以10℃/min升至750℃气压烧结224CuSe+In0.8Ga0.26Se1.1成型后烧7结00以10℃/min升至700℃气压烧结225Cu0.85Se+In0.75Ga0.25Se1.2成型7后00烧

4、结以10℃/min升至700℃真空烧结226Cu0.85Se+In0.75Ga0.25Se1.2成型6后50烧结以10℃/min升至650℃气压烧结227Cu0.85Se+In0.75Ga0.25Se1.2成型6后00烧结以10℃/min升至600℃气压烧结228Cu0.85Se+In0.75Ga0.25Se1.2成型5后80烧结以10℃/min升至580℃气压烧结229Cu0.85Se+In0.75Ga0.25Se1.2成型6后00烧结以10℃/min升至600℃气压烧结230Cu0.85Se+In0.75Ga0.25Se1.2成型6后20烧结以10℃/min升至620℃气压

5、烧结231Cu0.85Se+In0.75Ga0.25Se1.2成型6后20烧结以10℃/min升至620℃气压烧结232Cu0.9+ZnS+SnS成型后烧结720以10℃/min升至720℃气压烧结233Cu0.9+ZnS+SnS成型后烧结700以10℃/min升至700℃气压烧结234Cu0.9+ZnS+SnS成型后烧结680以10℃/min升至680℃气压烧结235Cu0.9+ZnS+SnS成型后烧结700以10℃/min升至700℃气压烧结保温时间压力气氛现象密度加压之后，压力显示一直下降。150min35KN真空5.3172g/cm3冷却脱模之后，样品成型完好。加压之后

6、，压力在410℃-450℃之间有微小上涨，涨幅在0.36KN左右，随后逐渐下降；在保温65min后，180min35KN真空压力再次出现上涨，涨直至保温结束，涨幅在5.1326g/cm30.63KN左右。冷却脱模之后，样品表面出现一个凸出的泡泡。035KN真空加压之后，炉子漏气，停止工作4.3147g/cm3加压之后，压力显示一直下降。180min35KN真空5.2763g/cm3冷却脱模之后，样品成型完好。刚开始加压，压力一直下降，但在保压后的5-7分钟180min35KN真空之间出现微小上涨，上涨幅度为0.18KN左右，随后5.2479g/cm3压力一直下降。冷却脱模之后，

7、样品成型完好。035KN真空加压之后，炉子漏气，停止工作035KN氩气加压之后，炉子漏气，停止工作前两次加压时，压力一直下降，第三次加压后，在400℃保温520℃左右有微小上涨，涨幅为0.17kN。随后，压力60min;600℃20KN氩气一直下降，下降的速度比较慢。冷却脱模，由于有4.8943保温60min液相产生，样品与垫片粘接一起不易脱模，最后只能用砂纸磨掉垫片。60min0.5MPa氩气00.4MPa氩气烧至500℃时，水压不稳定，停止烧结。4.5224900.3—0氩.6气MPa实